Активация - примесь
Cтраница 2
Можно предвидеть, что на другом конце температурной шкалы, при температурах жидкого гелия, будут применяться диоды, изготовленные из InSb и InAs, поскольку энергия активации примесей в них столь мала, что примеси еще остаются ионизованными при таких температурах. Охлаждение диодов в настоящее время стало общепринятым в приборах, где требуется усиление с малым уровнем шумов, и можно представить себе применение в таких цепях материалов с узкой запрещенной зоной, даже если при комнатной температуре они выпрямляют не особенно эффективно. [16]
Отжигом легированных слоев преследуется цель наряду с восстановлением кристаллической структуры мишени перевести примесные атомы в узлы и по возможности приблизить состояние легированного слоя к равновесному. Для активации примесей проводят так называемый низкотемпературный отжиг, когда скоростью диффузионных процессов в твердом теле практически можно пренебречь. Для кремния это соответствует температурам ниже 1000 С. [17]
Для двухконтурных схем с ядерным перегревом пара к качеству пара предъявляют повышенные требования, так как даже незначительные отложения в пароперегревательных каналах реактора могут привести к пережогу последних. Кроме того, активация примесей в паре при проходе его через реактор может увеличить наведенную активность пара до недопустимых пределов. [18]
Активирующиеся примеси при первой кристаллизации не оказывают влияния на скорость зарождения центров, их воздействие обнаруживается лишь после того, как они побывают в контакте с закристаллизовавшимся веществом. Для объяснения явления активации примесей Данилов [96] выдвинул гипотезу молеку-лярно-контактного слоя, согласно которой процесс активации твердой поверхности состоит в образовании на ней тонкого слоя исследуемого вещества, заполняющего поры и трещины. [19]
Если неизоморфные примеси предварительно находились в контакте с кристаллами данного вещества, то строение их поверхностного слоя изменяется, приспосабливаясь к строению кристалла. Такой процесс называют активацией примесей. На активированной примеси могут адсорбироваться атомы кристаллизующегося металла. [20]
Если неизоморфные примеси предварительно находились в контакте с кристаллами данного вещества, то строение их поверхностного слоя изменяется, приспосабливаясь к строению кристалла. Такой процесс называют активацией примесей. На активированной примеси могут адсорбироваться атомы кристаллизующегося металла. Перегрев металла выше температуры плавления дезактивирует примесь, разрушает адсорбированный слой, и включение перестает играть роль готового зародыша. [21]
Если неизоморфные примеси предварительно находились в контакте с кристаллами данного вещества, то строение их поверхностного слоя изменяется, приспосабливаясь к строению кристалла. Такой процесс называют активацией примесей. На активированной примеси могут адсорбироваться атомы кристаллизующегося металла. [22]
К счастью, в данном случае нам природа идет в известной степени навстречу. Дело в том, что энергия активации примесей ( Aej) не есть величина постоянная, а, как правило, убывает с концентрацией N и обычно при N - 1018 - 1019 обращается в нуль. Полупроводник при этом обращается в так называемый полуметалл: уже вблизи абсолютного нуля все примеси оказываются ионизированными, и концентрация носителей остается постоянной ( nN) вплоть до температур, при, которых начинает проявляться собственная проводимость. [23]
Облученный молибденовый ангидрид или металлический молибден выдерживают в течение месяца для превращения всего Мо в технеций и распада корот-коживущих примесей. Даже чистый молибденовый ангидрид в результате активации примесей имеет довольно значительную радиоактивность и потому его переработка требует специальных средств защиты. Дальнейшая переработка облученного молибдена ведется различными методами. [24]
В области низких температур участок кривой между точками / и 4 характеризует только концентрацию носителей, обусловленную примесями, так как носителей, преодолевающих запрещенную зону, еще очень мало. Наклон прямой на этом участке определяется энергией активации примесей АЭа или ДЗД. [25]
 |
Зависимость концентрации носителей заряда в полупроводнике от температуры при различной концентрации донорной примеси ( Л / пз Л П2. [26] |
В области низких температур участок нижней ломаной между точками а и б характеризует только концентрацию носителей, обусловленную примесями. Наклон прямой на этом участке определяется энергией активации примесей WHl. На участке б-в примеси уже истощены, а электроны еще не переходят через запрещенную зону. Участок кривой с постоянной концентрацией носителей заряда называют областью истощения примесей. [27]
 |
Зависимость концентрации носителей заряда в полупроводнике от температуры при различной концентрации донорной примеси ( Л / лэ / Vn2 NRl. Wnl W №. [28] |
В области низких температур участок нижней ломаной между точками а и б характеризует только концентрацию носителей, обусловленную примесями. Наклон прямой на этом участке определяется энергией активации примесей WAl. Участок кривой с постоянной концентрацией носителей заряда называют областью истощения примесей. [29]
Возможно даже некоторое повышение активности углей по сравнению с первоначальной. Это объясняется развитием в угле дополнительной пористости или активацией углеродсодер-жащих примесей. [30]
Страницы: 1 2 3 4