I-параметр - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
В жизни всегда есть место подвигу. Надо только быть подальше от этого места. Законы Мерфи (еще...)

I-параметр

Cтраница 3


Все эти режимы могут быть легко осуществлены практически, поэтому / i-параметры измерить легче, а необходимые у - или г-пара-метры можно получить путем пересчета.  [31]

Таким образом, выходное сопротивление усилителя зависит не только от / i-параметров транзистора, но и от сопротивления генератора, включенного на входе усилителя.  [32]

Для расчета и анализа устройств с биполярными транзисторами используют так называемые / i-параметры транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.  [33]

Таким образом, ур-ния (9.76) - (9.79) показывают не только изменение / i-параметров ( для схемы с общим эмиттером) от частоты, но также их зависимость от тока смещения и напряжения. Эта обобщенная информация могла быть получена только потому, что / z - параметры были найдены из рассмотрения основ физики прибора. Эти результаты позволяют выразить элементы эквивалентной схемы через основные параметры прибора. Если бы мы получили Л - параметры эмпирически и индивидуально и определили бы частотную зависимость каждого параметра, то в общей форме нельзя было бы предсказать изменение параметров от смещения. Кроме того, такая информация не дает возможности проектировщику прибора заранее предсказать, какие параметры прибора нужно изменить и в каком направлении, чтобы получить желаемые характеристики прибора.  [34]

Таким образом, входное сопротивление транзисторного усилителя зависит не только от / i-параметров транзистора, но и от сопротивления нагрузки, включенной на выходе усилителя.  [35]

При анализе электронных устройств с транзисторами широко используют уравнения четырехполюсника с / i-параметрами.  [36]

Если в справочнике не указано, для какого включения в нем даны / i-параметры, то они обычно относятся к включению с общей базой.  [37]

Условия и2 const и ij const нетрудно осуществить на практике при измерении / i-параметров.  [38]

В справочной литературе обычно даются также пересчетные формулы, с помощью которых по известным / i-параметрам для схемы транзистора с общим эмиттером можно получить А-параметры для схемы транзистора с общей базой или с общим коллектором.  [39]

Входное сопротивление усилительного каскада с общим эмиттером обычно определяют по справочнику, где указаны значения / i-параметров.  [40]

Принципиальная схема измерительной установки и общий вид передней панели показаны на рис. 4.23 и 4.24. Данная установка позволяет измерить / i-параметры маломощных транзисторов как р-п - р, так и п-р - п типа в заданной рабочей точке в трех схемах включения. Измерения проводят на частоте 1 кгц.  [41]

Эта сумма есть результат сложения величин, каждая из которых определяется состоянием газа; следовательно, и сумма этих величин i-параметр состояния газа. Его называют теплосодержанием или энтальпией.  [42]

Так как в литературе по транзисторам часто встречается система / i-параметров для схемы с общим эмиттером, а в справочниках - система / i-параметров для схемы с общей базой, целесообразно привести формулы перехода от одной системы параметров к другой.  [43]

Значения параметров Б э, 8в к, S, gK3 в справочниках не приводятся, и их получают либо путем вычисления через / i-параметры, либо путем дополнительных измерений.  [44]

Снять семейство статических входных и выходных характеристик транзистора типа р-п - р, включенного по схеме с общим эмиттером, и определить по ним характеристические / i-параметры.  [45]



Страницы:      1    2    3    4