Акты - поглощение
Cтраница 1
 |
Типичные константы тушения триплетов [ 196J. [1] |
Акты поглощения и испускания могут быть локализованы на одном атоме или молекуле или, как в случае молекулярного кристалла с сильной связью, весь кристалл может действовать как поглощающая или испускающая единица. [2]
В ряде приборов акты поглощения происходят не только в слое полупроводника, прилегающего к поверхности, но и в области запирающего слоя. [3]
Второй вид свечения - рекомбинационное - наблюдается тогда, когда акты поглощения и излучения разделены не только во времени, но и пространственно. [4]
При небольшом относительном изменении дипольного момента конфигурация окружения практически не изменяется; акты поглощения и флуоресценции осуществляются в пределах двух электронных уровней. [5]
Второй вид свечения - рекомбинационное - наблюдается в тех случаях, когда акты поглощения и излучения разделены не только по времени, но и пространственно. [6]
Как в стоячей, так и в бегущей волне происходит не только детерминированное движение атомов, но и их диффузия в фазовом пространстве вследствие того, что акты поглощения и испускания фотонов - чисто квантовые случайные процессы. [7]
 |
Схема основного и первого возбужденного электронно-колебательных уровней сложной молекулы. [8] |
Этим условиям удовлетворяют многие вещества в жидкой фазе, дипольный момент молекул которых в процессе возбуждения не изменяется, слабополярные растворы и некоторые другие, у которых акты поглощения и - флуоресценции описываются схемой двух электронных уровней. [9]
Этот метод представляет собой метод статистических испытаний, основанный на проведении с помощью ЭВМ серии численных расчетов по исследованию вероятности прохождения через среду единичных потоков энергии излучения. При этом акты поглощения и отражения рассматриваются как случайные процессы, определяющие условия прохождения излучения в системах с различными оптико-геометрическими характеристиками. Таким образом, представляется возможным проследить судьбу отдельных пучков энергии в соответствии с принятым разделением системы на объемные и поверхностные зоны и радиационными характеристиками этих зон. [10]
Они могут быть переведены в возбужденное состояние электрическим полем ( электролюминесценция ], бомбардировкой полупроводника электронами ( катодалюминесценция ], освещением ( фотолюминесценция) и с помощью других энергетических воздействий. При люминесценции акты поглощения энергии полупроводником и излучения квантов света разделены во времени ( а может быть, и в пространстве) промежуточными процессами, что приводит к относительно длительному существованию свечения полупроводника после прекращения возбуждения. [11]
Они могут быть переведены в возбужденное состояние электрическим полем ( электролюминесценция, бомбардировкой полупроводника электронами ( катодо-люминесценция), освещением ( фотолюминесценция) и с помощью других энергетических воздействий. При люминесценции акты поглощения энергии полупроводником и излучения квантов света разделены во времени ( а может быть, и в пространстве) промежуточными процессами, что приводит к относительно длительному существованию свечения полупроводника после прекращения возбуждения. [12]
Однако создать условия для получения фотонной лавины не так просто. Нарастанию лавины мешают акты поглощения, сопровождающиеся исчезновением фотонов и переходом атомов с нижнего уровня на верхний. Как показал Эйнштейн, вероятности процессов вынужденного испускания и поглощения равны между собой. Поэтому все определяется соотношением чисел атомов на верхнем и нижнем энергетических уровнях. Число актов испускания пропорционально числу атомов на верхнем уровне. Число актов поглощения пропорционально числу атомов на нижнем уровне. Следовательно, для получения фотонной лавины необходимо, чтобы на верхнем уровне атомов было больше, чем на нижнем. [13]
Люминесценция, как любое электромагнитное излучение, характеризуется интенсивностью, спектральным составом, поляризацией, когерентностью и длительностью послесвечения. В случае люминесценции акты поглощения и излучения света разделены промежуточными процессами, что и приводит к продолжительному существованию свечения после прекращения возбуждения. [14]
К диссипации энергии внешнего переменного поля приводят et - столкновения, длительность которых порядка или меньше периода поля. В этих условиях микроскопические акты поглощения энергии поля становятся процессами, обратными к тормозному излучению при парных столкновениях заряженных частиц. [15]
Страницы: 1 2 3