Ионизированный акцептор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если ты споришь с идиотом, вероятно тоже самое делает и он. Законы Мерфи (еще...)

Ионизированный акцептор

Cтраница 1


Ионизированный акцептор можно также представить себе как связанный с атомом примеси ( неподвижный) электрон плюс свободная дырка в валентной зоне.  [1]

Плотности ионизированных акцепторов и доноров получаются из закона Нерпста.  [2]

3 Зонные диаграммы полупроводников р-тнпа. [3]

В противоположном случае наличие ионизированных акцепторов может повлиять на ПОДВРЖНОСТЬ дырок. Кроме того, если NdNa, то при нулевой температуре мелкие акцепторные уровни заполнены электронами и их нельзя обнаружить с помощью эффекта Холла. Нужно отметить, что глубокий донорный уровень можно отличить ог глубокого акцепторного уровня ( рис. 2.9, а), поскольку при захвате электрона донор из состояния с положительным зарядом переходит в нейтральное состояние, тогда как акцептор из нейтрального состояния переходит в состояние с отрицательным зарядом. Хотя температурная зависимость ЭДС Холла позволяет выделить глубокие уровни по их влиянию на концентрацию носителей заряда, чувствительность этих измерений относительно глубоких примесных центров невелика. Поэтому глубокие примесные уровни исследуют с помощью емкостных методов, обладающих большей чувствительностью.  [4]

5 Схема структуры МДП на основе полупроводника р-типа. [5]

Рассмотрим для определенности полупроводник р-типа с полностью ионизированными акцепторами, концентрация которых Na.  [6]

Он, действительно, много меньше заряда ионизированных акцепторов в согласии с предположением, сделанным при вычислении электрического поля на поверхности. Используя полученные ранее значения ps, можно, помимо указанных величин, рассчитать еще проводимость канала при нулевом смещении.  [7]

Следует обратить внимание на слои ионизированных доноров и ионизированных акцепторов непосредственно у поверхности образцов германия с соответствующим типом проводимости.  [8]

Одновременно с увеличением концентрации Naa растет доля рассеяния на ионизированных акцепторах в общем балансе рассеяния.  [9]

10 Зависимости положения левой границы - - запирающего слоя от 1 - 1М для различных токов. [10]

Увеличивающийся с ростом тока объемный заряд дырок вычитается из заряда ионизированных акцепторов исходного полупроводника Л рисх, что приводит к заметному сдвигу перехода вправо аналогично тому, как увеличивается ширина базы в диффузионно-сплавных транзисторах с уменьшением степени легирования исходного полупроводника. При больших М ( М - - voo) рост тока происходит, в основном, в-результате умножения носителей в переходе; объемные заряды образующихся при этом электронов и дырок компенсируют друг друга и не вызывают смещения инверсной точки ZQ. Небольшой же сдвиг перехода вправо и в этом случае связан с наличием нескомпенсированного ( вблизи максимума поля) компонента тока дырок, дошедших от эмиттерного перехода, только теперь вклад этого компонента в общий ток существенно меньше.  [11]

Предположим, что заряд свободных электронов близ поверхности много меньше заряда ионизированных акцепторов в истощенном слое.  [12]

Аналогично, на единицу объема 1 см3, 1 м3 приходится NA-Ny отрицательно заряженных ионизированных акцепторов, где N - число акцепторных атомов, не захвативших электрона.  [13]

14 Спектры примесного поглощения.| Спектр примесного поглощения кремния, легированного бором. [14]

Если оптические переходы происходят между валентной зоной и ионизированным мелким донором или между ионизированным акцептором и зоной проводимости, то энергии поглощаемых в таких переходах квантов должны удовлетворять условию: / ш А.  [15]



Страницы:      1    2    3