Cтраница 1
Угол наклона акцессорий холмиков ( при синтезе в растворе гидроокиси натрия) прямо пропорционален скорости роста. [1]
В осадочных породах аути-геииый акцессорий, реже встречается в виде конкреций. Используется при бурении скважин как утяжелитель глинистого раствора для предотвращения выбросов флюида из пластов с высоким давлением. [2]
В начальной стадии этого процесса увеличивается крутизна склонов конических акцессорий на грани с. Затем коническая поверхность вытесняется фрагментами плоскостей, близких по своей ориентации к граням ромбоэдров. Такие вырожденные многоглавые - поверхности при нарастании иногда дают визуально однородный материал, однако в большинстве случаев в углублениях между субиндивидами берут начало щелевидные каналы ( проколы), которые перекрываются на разных стадиях роста кристалла и дают многочисленные включения раствора. Размеры субиндивидов и вероятность вырождения возрастают с увеличением толщины нароста. [3]
Количество адсорбированных частиц примеси варьирует на различных участках поверхности акцессорий. Следствием этого является сложное макромозаичное распределение неструктурной примеси, которое наиболее отчетливо прослеживается в наружных зонах кристалла. Весьма малые ( в пределах градуса) искривления поверхности базиса вызывают резкие изменения градиента концентрации примеси вдоль зон, параллельных растущей поверхности. На разрезах, параллельных плоскости х, видно, что наиболее активно примесь адсорбируется склонами акцессорий, обращенными в стороны грани отрицательного ромбоэдра. Вдоль границ секторов с и х, а также с и s часто наблюдаются примесные шлейфы, возникающие в результате адсорбирования неструктурной примеси поверхностями положительной и отрицательной бипирамиды. Такие поверхности интенсивно развиты вдоль ребер с / - х и c / s на кристаллах, удлиненных вдоль оси у. Если интенсивность молочно-белой окраски на затравке выше, чем в прилегающих слоях кристалла, то это свидетельствует о более высокой концентрации неструктурной примеси в кристалл, из которого вырезаны затравочные пластины. [4]
Количество адсорбированных частиц примеси варьирует на различных участках поверхности акцессорий. Следствием этого является сложное макромозаичное распределение неструктурной примеси, которое наиболее отчетливо прослеживается в наружных зонах кристалла. Весьма малые ( в пределах градуса) искривления поверхности базиса вызывают резкие изменения градиента концентрации примеси вдоль зон, параллельных растущей поверхности. На разрезах, параллельных плоскости х, видно, что наиболее активно примесь адсорбируется склонами акцессорий, обращенными в стороны грани отрицательного ромбоэдра. Вдоль границ секторов с и л, а также с и s часто наблюдаются примесные шлейфы, возникающие в результате адсорбирования неструктурной примеси поверхностями положительной и отрицательной бипирамиды. Такие поверхности интенсивно развиты вдоль ребер с / - х и c / s на кристаллах, удлиненных вдоль оси у. Если интенсивность молочно-белой окраски на затравке выше, чем в прилегающих слоях кристалла, то это свидетельствует о более высокой концентрации неструктурной примеси в кристалл, из которого вырезаны затравочные пластины. [5]
Вследствие тиндалевского рассеяния аналогичные явления наблюдаются и в неотожженных образцах при интенсивном боковом освещении. Плотность окраски понижается к вершинам куполовидных акцессорий, что может быть вызвано оттеснением примеси к границам конусов нарастания акцессорий. О возможности такого процесса свидетельствуют также результаты съемок кварцевых препаратов методом теневой проекции. На фотографиях отчетливо выявляется ячеистое распределение неструктурной примеси. Участки, обогащенные примесью, обнаруживаются при визуальном просмотре в поляризованном свете пластин, ориентированных перпендикулярно к оптической оси. В отожженных кристаллах молочно-белые пленки нередко возникают непосредственно на поверхности базиса. [7]
Рентгеновские топограммы х-среза базисного кристалла, приготовленного таким образом, что точечные вершины ряда акцессорий выходят в торец пластины ( указаны стрелками. [8] |
Необходимо подчеркнуть, что в описанных условиях дислокационный механизм не дает существенного выигрыша в скорости роста при одних и тех же пересыщениях. Из сказанного также следует, что отсутствие конусообразных акцессорий роста с активной вершиной является необходимым ( но не достаточным) морфологическим критерием бездислокационного строения пирамиды роста базиса. [9]
Вследствие тиндалевского рассеяния аналогичные явления наблюдаются и в неотожженных образцах при интенсивном боковом освещении. Плотность окраски понижается к вершинам куполовидных акцессорий, что может быть вызвано оттеснением примеси к границам конусов нарастания акцессорий. О возможности такого процесса свидетельствуют также результаты съемок кварцевых препаратов методом теневой проекции. На фотографиях отчетливо выявляется ячеистое распределение неструктурной примеси. Участки, обогащенные примесью, обнаруживаются при визуальном просмотре в поляризованном свете пластин, ориентированных перпендикулярно к оптической оси. В отожженных кристаллах молочно-белые пленки нередко возникают непосредственно на поверхности базиса. [10]
Иногда наблюдаются различные комбинации этих двух типов рельефа. Помимо указанных форм, для кристаллов, выращенных при высоких пересыщениях, наряду с обычными концентрически слоистыми акцессориями отмечено образование акцессорий с мак-роспиральным строением. [11]
Количество адсорбированных частиц примеси варьирует на различных участках поверхности акцессорий. Следствием этого является сложное макромозаичное распределение неструктурной примеси, которое наиболее отчетливо прослеживается в наружных зонах кристалла. Весьма малые ( в пределах градуса) искривления поверхности базиса вызывают резкие изменения градиента концентрации примеси вдоль зон, параллельных растущей поверхности. На разрезах, параллельных плоскости х, видно, что наиболее активно примесь адсорбируется склонами акцессорий, обращенными в стороны грани отрицательного ромбоэдра. Вдоль границ секторов с и х, а также с и s часто наблюдаются примесные шлейфы, возникающие в результате адсорбирования неструктурной примеси поверхностями положительной и отрицательной бипирамиды. Такие поверхности интенсивно развиты вдоль ребер с / - х и c / s на кристаллах, удлиненных вдоль оси у. Если интенсивность молочно-белой окраски на затравке выше, чем в прилегающих слоях кристалла, то это свидетельствует о более высокой концентрации неструктурной примеси в кристалл, из которого вырезаны затравочные пластины. [12]
Количество адсорбированных частиц примеси варьирует на различных участках поверхности акцессорий. Следствием этого является сложное макромозаичное распределение неструктурной примеси, которое наиболее отчетливо прослеживается в наружных зонах кристалла. Весьма малые ( в пределах градуса) искривления поверхности базиса вызывают резкие изменения градиента концентрации примеси вдоль зон, параллельных растущей поверхности. На разрезах, параллельных плоскости х, видно, что наиболее активно примесь адсорбируется склонами акцессорий, обращенными в стороны грани отрицательного ромбоэдра. Вдоль границ секторов с и л, а также с и s часто наблюдаются примесные шлейфы, возникающие в результате адсорбирования неструктурной примеси поверхностями положительной и отрицательной бипирамиды. Такие поверхности интенсивно развиты вдоль ребер с / - х и c / s на кристаллах, удлиненных вдоль оси у. Если интенсивность молочно-белой окраски на затравке выше, чем в прилегающих слоях кристалла, то это свидетельствует о более высокой концентрации неструктурной примеси в кристалл, из которого вырезаны затравочные пластины. [13]
Механические повреждения затравочной пластины, такие, как трещины, а также искусственно образованные отверстия и запилы, являются источниками дислокаций. Многочисленные подтверждения этому были получены при съемке рентгеновских то-пограмм. На рис. 20 видны пучки дислокаций, исходящие от трещины в затравочной пластине. На поверхности пинакоида этого кристалла на фоне рельефа булыжной мостовой в участке над трещиной расположена гряда активных акцессорий роста. [14]
Морфологические особенности поверхности пннако-ида с рельефом типа булыжная мостовая. [15] |