Дальнейший аргумент - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Пойду посплю перед сном. Законы Мерфи (еще...)

Дальнейший аргумент

Cтраница 1


Дальнейшие аргументы против того, что постоянство cps определяется центрами рекомбинации, следуют из факта изменения ps в широких пределах в зависимости от окружающей атмосферы. В самом деле, отсюда с необходимостью вытекает, что плотность состояний и их энергетическое положение зависят от среды, что находится в полном противоречии с наблюдениями указанных авторов. Если предположить, что распределение нейтральных и заряженных примесей в этой области непосредственно зависит от окружающей газовой среды, то относительная ионизация будет зависеть от положения уровня Ферми в прилегающем материале. При достаточно большой концентрации ионов любой малый сдвиг уровня Ферми обусловливал бы большие нарушения в распределении заряда, причем происходил бы обмен электронами между объемом и поверхностью германия. Поскольку в мономолекулярном слое на поверхности германия содержится около 1015сл - 2 адсорбированных ионов, то ясно видно, что даже очень малый сдвиг уровня Ферми привел бы к требуемому изменению заряда. Отсюда следует, что времена релаксации можно связать со скоростью электронного обмена между ионами на поверхности и объемом германия; зависимость ps от газовой среды и толщины слоя окисла связана с энергиями ионизации и концентрациями ионов, находящихся вне или внутри слоя окисла.  [1]

Дальнейшими аргументами в пользу теории Лэпуортса могут служить некоторые реакции присоединения к олефинам и другим соединениям, содержащим двойную связь. Терри и Эйхельбергер [7] наблюдали, что смесь брома и хлористого калия реагирует с малеи-новокислым натрием в водном растворе, образуя хлорбромянтар-ную кислоту вместо дихлорянтарной кислоты.  [2]

Дальнейшим аргументом в пользу теории Полинга о роли ионных структур и электроотрицательности в определении свойств связей яляется то, что связи между атомами с сильно отличающимися электроотрицательно-стями имеют большие дипольные моменты.  [3]

Полученные в лаборатории В. И. Гребенщиковой, Э. М. Иоффе, а также в моей данные относительно зависимости характера распределения микрокомпонента от типа и состава комплексов, находящихся в растворе, являются, как мне кажется, дальнейшим аргументом в пользу существенной роли комплексообразования в процессах соосаждения. Весьма интересно, что зависимость характера распределения микрокомпонента от концентрации комплексообразующего аниона наблюдается именно в таких системах, в которых микрокомпонент благодаря ступенчатому комплексо-образованию может находиться в растворе в виде целого ряда комплексных ионов различного состава и строения. Разнообразие таких форм увеличивает статистическую вероятность того, что хоть одна из них может оказаться способной внедряться в кристаллическую решетку макрокомпонента.  [4]

Изложенный в настоящем параграфе аргумент носит чисто качественный характер. Хотя наличие указанной дилеммы бесспорно, основанный лишь на ней вывод о непригодности классической механики для построения статистической физики не являлся бы достаточно обоснованным. Если бы мы не нашли дальнейших аргументов, говорящих в пользу того же вывода, то мы могли бы допустить, сколь это ни мало правдоподобно, что вероятности, возникающие в физической статистике не являются настоящими вероятностями, не обладают всеми свойствами вероятностных рядов, а лишь имитируют некоторые из них. Кроме того, мы не имели бы возможности окончательно отвергнуть последнее допущение, если бы мы не могли найти иных - отличных от классической механики - принципов микромеханики, способных служить основой для интерпретации физической статистики.  [5]



Страницы:      1