Коммутация - элемент - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5
Закон администратора: в любой организации найдется человек, который знает, что нужно делать. Этот человек должен быть уволен. Законы Мерфи (еще...)

Коммутация - элемент

Cтраница 5


Отличительной особенностью изготовления полупроводниковых интегральных микросхем являются групповые методы. Для полупроводниковых микросхем используют в основном пластинки кремния диаметром 30 - 50 мм и толщиной 0 2 - 0 3 мм, в объеме и на поверхности которых формируется 300 - 500 микросхем. Причем одновременно обрабатывается партия пластин, состоящая из 10 - 20 штук. Площадь одной полупроводниковой микросхемы в среднем равны 1 мм2, а число активных и пассивных элементов в ней достигает десятков и сотен штук. Размеры элементов в микросхеме равны единицам и десяткам микрометров, а соединение элементов в нее осуществляется частично непосредственно в объеме кристалла, а частично на ее защитном слое металлизацией. Осуществляя коммутацию элементов на базовом кристалле, легко получать различные схемы без изменения технологического ( процесса.  [61]

Задающий генератор на биениях работает следующим образом. Оба эти напряжения после усиления поступают на два входа преобразователя. На выходе преобразователя возникают напряжения разностной частоты от 0 до 40 кГц ( частота биений) и высокочастотные составляющие. Последние отфильтровываются фильтром нижних частот с ослаблением 60 дБ, а напряжение биений поступает на вход усилителя низкой частоты. Диапазон частот выходного сигнала перекрывается одним поворотом ротора конденсатора С генератора с плавной настройкой, шкала которого градуируется от 20 до 40 000 Гц в логарифмическом масштабе. Таким образом, перекрытие выходных частот происходит без коммутации элементов колебательных цепей, что позволяет применять генераторы на биениях для автоматической записи частотных характеристик различных радиотехнических и акустических устройств. Расстройка выходной частоты в пределах 100 Гц в любой точке диапазона настройки производится изменением емкости конденсатора Ср, включенного параллельно контуру генератора фиксированной частоты. Шкала конденсатора Расстройка градуируется в герцах.  [62]



Страницы:      1    2    3    4    5