Cтраница 1
Армистед и др. [61] показали, что на регидратированном пирогенном кремнеземе на поверхности содержится 4 6 ОН-груп-пы / нм2, причем из них 1 4 0 1 составляют свободные гидро-ксильные группы, не связанные водородными связями с соседними группами, а 3 2 0 1 взаимно связаны попарно водородными связями. Кроме того, существуют внутренние группы SiOH в количестве 1 6 ОН-групп / нм2, которые необратимо удалялись при прокаливании. [1]
При изучении кинетики реакций, протекающих на поверхности раздела, Хэфр и Хертль получили данные, подтверждающие результаты исследований Пери [6], Армистеда и Хокки [1], согласно которым молекулы тетрахлорида кремния взаимодействуют с двумя гидроксильными группами на поверхности окиси кремния, несмотря на то что эти группы слишком удалены друг от друга, чтобы между ними могла возникнуть водородная связь. [2]
В работах [405-407] рассмотрено влияние предварительного спекания кремнезема при температурах вплоть до 1000 С. Реакция с водой проходила при 25 С, но реакция с группами SiOH протекала только частично при высокой температуре. Армистед и Хокки [88] обнаружили, что Me3SiCl и Me2SiCl2 реагировали избирательно и полностью с изолированными группами SiOH, тогда как MeSiCl3 и SiCU, кроме того, вступали в реакцию с некоторой долей парных групп SiOH, состоящих из смежных, связанных водородной связью двух гидроксильных групп, расположенных на частично дегидратированной поверхности кремнезема. Поверхность, предварительно дегидратированная при 380 С, сохраняла достаточное число групп SiOH, обеспечивавших присоединение монослоя из групп Me3SiO при такой температуре. [3]
Невидимому, а-частицы должны приводить к эффекту Виг-нера на конце своих траекторий, однако относительная доля упругих столкновений в потере их энергии будет много меньшей, чем для нейтронов. Андраде [15] обнаружил, что скорость крипа монокристаллической кадмиевой проволоки, находящейся в напряженном состоянии, сильно возрастает при бомбардировке поверхности проволоки а-частицами. Выбивание атома с поверхности, повидимому, вызывает скольжение вдоль одной из плоскостей кристалла. Линд [3] наблюдал, как под действием облучения алмаза а-лучами в нем образуются черные пятнышки углерода, расположенные на глубине, большей чем пробег а-частицы. Армистед предположил, что атомы углерода, выбитые быстрыми - частицами из решетки алмаза, мигрируют внутрь кристалла, образуя, в конце концов, пятно. [4]