Зарождение - кристалл
Cтраница 2
На процесс зарождения кристаллов оказывает воздействие большое число внешних факторов: вибрация, перемешивание, ультразвуковые колебания, электрические и магнитные поля, радиация и др. Как правило, действие этих факторов повышает скорость зарождения. [16]
Флуктуационный механизм зарождения кристаллов обусловливает восприятие системой точечного источника теплосъема в качестве значительной температурной флуктуации и определяет преимущественный рост зерна именно из этой точки. [17]
На кинетику процесса зарождения кристаллов влияют многие факторы, в особенности присутствие в расплаве различных механических примесей. Последние, как правило, снижают степень переохлаждения и увеличивают вероятность зарождения кристаллов. Процесс зарождения кристалла на поверхности постороннего твердого тела часто называют гетерогенным. [18]
Экспериментальные кривые скорости зарождения кристаллов иногда значительно отличаются от теоретической по положению и значению относительного максимума, как правило, в результате действия тех или иных катализирующих примесей. [20]
Для облегчения процесса зарождения кристаллов в дисковом кристаллизаторе может быть использована частичная рециркуляция суспензии ( а. При этом исходная смесь перед подачей в дисковый кристаллизатор смешивается с определенным количеством суспензии, отбираемой от одной из промежуточных секций. Такой прием способствует также увеличению среднего размера получаемых кристаллов. [21]
Изучалась зависимость скорости зарождения кристаллов, точнее, кристаллических образований ( сферолитов, сростков), от температуры в стеклах ( составы в мол. [22]
При количественной трактовке процесса зарождения кристалла все авторы исходят из рассмотрения условий равновесия системы, в то время как начало кристаллизации происходит именно потому, что полностью нарушается равновесие системы, причем образуется новая фаза, качественно отличная от исходного состояния. [23]
 |
Зависимость свободных энергий аустенита ( / д. мартенсита ( Fjift и перлита от температуры ( схема. [24] |
Существуют две группы гипотез зарождения кристаллов мартенсита: гипотеза гомогенного и гипотезы гетерогенного зарождения. [25]
 |
Двухмерный зародыш кристалла. [26] |
Избыточную поляризацию, необходимую для зарождения кристалла на инертном катоде, можно легко наблюдать. В качестве примера на рис. 118 приведена кривая зависимости потенциала от времени при катодной поляризации платинового электрода в растворе соли кадмия. По ординате отложен сдвиг потенциала от равновесного для кадмия в растворе данной концентрации. [27]
 |
Двухмерный зародыш кристалла. [28] |
Избыточную поляризацию, необходимую для зарождения кристалла на инертном катоде, можно легко наблюдать. [29]
Влияние механических воздействий на процесс зарождения кристаллов связано, во-первых, с энергетическими изменениями системы в локальных участках объема расплава и, следовательно, - с процессом флуктуационного зарождения. С другой стороны, механические воздействия вызывают изменения ряда физических параметров системы, непосредственно связанных с характером тепловых ж диффузионных процессов на границе раздела фаз. В ряде случаев механические воздействия вызывают диспергирование частиц нерастворимых примесей и возникающих кристаллических образований. При этом возможно изменение физического состояния самой поверхности твердого тела. [30]
Страницы: 1 2 3 4