Упругое искажение - кристаллическая решетка
Cтраница 2
Касательные напряжения ( рис. 2.3) сначала также вызывают упругое искажение кристаллической решетки, а затем одна часть кристалла перемещается относительно другой без нарушения целостности кристалла - происходит пластическая деформация. Поэтому повышение нагрузки вызывает новые сдвиги в тех плоскостях, где сдвига еще не было, и, наоборот, там, где сдвиг произошел, дальнейшее его развитие не наблюдается. [16]
Касательные напряжения ( рис. 3) сначала также вызывают упругое искажение кристаллической решетки, а затем одна часть кристалла перемещается относительно другой без нарушения целостности кристалла - происходит пластическая деформация. [18]
В первый период усталости в металле происходит накопле ние упругих искажений кристаллической решетки в результат. В дальнейшем в тех локаль ных объемах, где достигнута критическая плотность дислокаций начинают появляться пластические микродеформации. Основ ным признаком пластической деформации являются линии ско льжения в зернах металла. В процессе циклического нагруженш линии скольжения могут превращаться в интенсивные полось скольжения. [19]
Случай, когда инородный атом в твердом растворе создает вокруг себя упругие искажения кристаллической решетки, представляет собой пример возникновения напряжений третьего рода. [20]
Начальная стадия действия циклических напряжений, когда в металле происходит накопление упругих искажений кристаллической решетки. [21]
В результате этого вокруг вакансии или вокруг дислоцированного атома возникает поле упругих искажений кристаллической решетки. [22]
Появление в результате ИПД высокой плотности дислокаций и дисклинаций приводит к упругим искажениям кристаллической решетки и изменениям межатомных расстояний, а, следовательно, можно ожидать и изменения тепловых характеристик наноструктурных материалов. В этих работах в качестве возможных причин, которые могут вызвать изменения тепловых характеристик наноматериалов, полученных методом газовой конденсации, указываются специфические тепловые колебания атомов в поверхностном слое порошинок или увеличенная концентрация точечных дефектов в области границ зерен. [23]
Нагрев углеродистой стали до 300 - 400 С приводит к снятию значительной части упругих искажений кристаллической решетки. Для этого необходимы относительно небольшие перемещения атомов. При дальнейшем повышении температуры подвижность атомов увеличивается в еще большей степени. В результате их взаимодействия часть дислокаций исчезает, а часть концентрируется на отдельных участках по границам блоков. В пределах блоков металл приобретает правильное строение, происходит полигон из а ция. [24]
В процессе коррозионной усталости металла сначала на отдельных участках его поверхности происходит накопление упругих искажений кристаллической решетки за счет увеличения плотности дислокаций; затем появляются субмикроскопические трещины в тех объемах металла, где в процессе массового скольжения отдельных блоков достигается критическая плотность дислокаций, и наконец происходит перерастание микротрещин в макротрещины. [26]
Нагрев углеродистой стали до 300 - 400 С приводит к снятию значительной части упругих искажений кристаллической решетки. Для этого необходимы относительно небольшие перемещения атомов. При дальнейшем повышении температуры подвижность атомов увеличивается в еще большей степени. В результате взаимодействия дислокаций часть их исчезает, а часть концентрируется на отдельных участках по границам блоков. В пределах блоков металл приобретает правильное строение, происходит полигонизация. [27]
Первый период соответствует начальной стадии действия циклических напряжений, когда в металле происходит накопление упругих искажений кристаллической решетки. [28]
Первый период усталости соответствует начальной стадии действия циклических напряжений, когда в металле происходит накопление упругих искажений кристаллической решетки. В этой стадии еще не образуются субмикроскопические трещины. [29]
Однако сформировавшиеся зерна ( фрагменты) имеют специфическую субструктуру, связанную с присутствием решеточных и зерногранич-ных дислокаций и дисклинаций, наличием больших упругих искажений кристаллической решетки, вследствие чего области когерентного рассеяния, измеренные рентгеновскими методами обычно составляют значительно менее 100 нм [12, 3], что и определяет формирование наноструктурных состояний в ИПД материалах. [30]
Страницы: 1 2 3 4