Cтраница 3
Одно из направлений дальнейшего прогресса полупроводниковой электроники намечается по пути использования эпитаксиальных многослойных полупроводниковых структур. Их применение может существенно улучшить параметры приборов. В этой связи приобретают аолыпое значение исследования условий получения, закономерностей роста, кристаллического совершенства эпитаксиальных многослойных полупроводниковых структур. [31]