Cтраница 3
В них используются, как правило, три последовательно соединенных р-п-перехода. Один из них - стабилизирующий, включен в обратном направлении, два других - термокомпенсирующие и включены в прямом направлении. Если стабилизирующий переход работает в режиме лавинного пробоя, то с увеличением температуры напряжение на нем растет. Одновременно прямое напряжение на двух термокомпенсирующих переходах уменьшается, поэтому общее напряжение на стабилитроне меняется незначительно и температурный коэффициент напряжения стабилизации аст ( - 1 - т - 20) - Ю-5 град - чрезвычайно мал. [31]
В стабилитронах используется явление электрического лавинного пробоя. При этом в широком диапазоне изменения тока через диод напряжение на нем меняется очень незначительно. Для ограничения тока через стабилитрон последовательно с ним включают сопротивление. Типовая схема включения стабилитрона приведена на рис. 31.1 а. Основными параметрами стабилитрона являются: номинальное напряжение стабилизации и, его дифференциальное сопротивление г и температурный коэффициент напряжения стабилизации ТКН. [32]
Метод измерения импульсного прямого напряжения Диоды полупроводниковые. Метод измерения индуктивности Диоды полупроводниковые. Метод измерения дифференциального и динамического сопротивления Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации Диоды полупроводниковые выпрямительные. Метод измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. [33]