Атом - кремний - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Еще никто так, как русские, не глушил рыбу! (в Тихом океане - да космической станцией!) Законы Мерфи (еще...)

Атом - кремний

Cтраница 4


Атом кремния по своей электроотрицательности стоит ниже атома водорода, в то время как углерод является более электроотрицательным, чем водород. Этим определяется одно из важных свойств связи Si - - Н - ее полярность.  [46]

Атомы кремния далеко не так легко, как атомы углерода, способны образовывать цепи без включения посторонних атомов. Водой даже на холоду связь Si - Si в большинстве случаев разрывается.  [47]

Атомы кремния и кислорода, находящиеся на поверхности глобулы, а также часть атомов структурообразующих элементов внутри глобул оказываются валентноненасыщенными. Это является причиной гидроксилирования поверхности глобул силикагеля, которое во многом определяет адсорбционные, химические и каталитические свойства.  [48]

Атомы кремния кристаллизуются в кубическую кристаллическую решетку типа алмаза ( см. рис. 3) и связаны друг с другом гомеополярными силами.  [49]

Атом кремния имеет координационное число 4 и его структурная свобода мала. Поэтому в аморфном состоянии в определенных локальных участках должны возникать значительные деформации.  [50]

51 Кристаллическая структура кремния.| Структура сульфида цинка. [51]

Атомы кремния располагаются по вершинам и в центрах каждой грани в элементарной кубической ячейке. Один из восьми октантов на рис. 3 показан пунктиром. По каждому координатному направлению заселенные октанты, в центре которых находятся атомы кремния, чередуются с пустыми. Таким образом, из восьми октантов заселенными оказываются только четыре. При таком расположении каждый атом кремния окружен четырьмя другими, которые в свою очередь окружены четырьмя следующими атомами, находящимися на тех же расстояниях 0 235 нм.  [52]

53 Схематичное изображение процесса получения сплавного р-л-пере. [53]

Атомы кремния и германия выделяются из тетрахлоридов под действием водорода в потоке газов ( газотранспортные реакции) и обычно осаждаются эпитаксиально на горячих подложках. Легирующие примеси вводят, добавляя летучие вещества в тетрахлорид или в систему газообразных веществ в виде отдельного потока, регулируемого игольчатыми вентилями.  [54]

Атом кремния имеет сравнительно большой радиус ( 1 17 А) и большинство силицидов, строго говоря, нельзя относить к соединениям внедрения - они занимают промежуточное положение между соединениями внедрения и интерметаллическими соединениями. При образовании твердых растворов с переходными элементами IV группы атомы кремния могут входить в решетку и по принципу внедрения, и по принципу замещения. Кремний - электронный гомолог углерода, поэтому единственный фактор, мешающий образованию фаз внедрения - размерный. В низших силицидах сохраняется преимущественно металлический характер связи, а структура их сходна со структурой металлов. В высших силицидах наблюдается тенденция к преобладанию ковалентной связи и образованию сложных структур. Силициды обнаруживают сходство с карбидами, с другой стороны, они во многом родственны боридам.  [55]

Атом кремния находится в центре этого тетраэдра, вершины которого заняты четырьмя атомами кислорода. Подобные тетраэдры могут соединяться друг с другом своими вершинами, образуя кислородные мостики Si-О - Si. В чистом кремнеземе, например кварце, у всех тетраэдров вершины общие.  [56]

Атом кремния имеет координационное число 4 и его структурная свобода мала. Поэтому в аморфном состоянии в определенных локальных участках должны возникать значительные деформации.  [57]

Атомы кремния и германия выделяются из тетрахло-ридов под действием водорода в потоке газов ( газотранспортные реакции) и обычно осаждаются эпитаксиально на горячих подложках. Легирующие примеси вводят, добавляя летучие вещества в тетрахлорид или в систему газообразных веществ в виде отдельного потока, регулируемого игольчатыми вентилями. Этим методом выращивают многослойные монокристаллические пленки с контролируемым содержанием и распределением примесей в слоях. Метод требует очень высокой чистоты и точности обработки поверхности полупроводника, являющегося подложкой.  [58]

Атом кремния обладает гораздо большим сродством к кислороду, чем атом углерода. Например, SiCU моментально гидролизуется водой, тогда как ОСЬ, к воде устойчив, а растворами щелочей гидролизуется медленно. Гидролиз гидридов кремния приводит к выделению кремневой кислоты, причем дн-сплаи на воздухе самовоспламеняется, что резко контрастирует с устойчивостью соответствующих углеводородов.  [59]

Атом кремния имеет три электронные оболочки. Валентные электроны участвуют во взаимодействиях между атомами: образую.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5