Адсорбированный атом

Cтраница 2

Для адсорбированного атома этот член выражает снижение энергии адсорбата в поле как путем перераспределения электронов, так и за счет взаимодействия поля с полным удельным зарядом на атоме. Полный заряд на адсорбированном атоме и его отражение в металле образуют диполь. Непосредственно поле взаимодействует только с зарядом на адсорбированном атоме, который можно приближенно выразить через известный дипольный момент Мп и длину связи; но заряд-изображение со своей стороны испытывает влияние как сдвига электронного распределения в металле, так и изменения равновесного положения адсорбированного атома ( со своим зарядом) в поле. Даже в том случае, когда можно не учитывать полный заряд на адсорбированном атоме ( либо если он мал, либо при исследовании высоковольтной десорбции самого металла), введение поправок на поляризацию весьма затруднительно. [16]

Наличие адсорбированных атомов по поверхности полупроводника и в оксидном слое приводит к появлению локальных состояний с различным временем релаксации. Различают быстрые и медленные состояния. Под быстрыми состояниями понимают такие, времена релаксации которых сравнимы с временем жизни неосновных носителей и составляют от сотен микросекунд и менее. Вследствие малого времени релаксации они являются центрами рекомбинации на поверхности. Очевидно, такие состояния расположены непосредственно на поверхности полупроводника под оксидной пленкой. [17]

Диффузия адсорбированных атомов на поверхности твердого тела или жидкости носит название поверхностной диффузии. Эйнштейн показал, что общим для диффузионных процессов является наличие случайных блужданий. Моделью таких блужданий может служить движение абсолютно пьяного человека. Такой человек с одинаковой вероятностью может совершить шаг в любую сторону. Через эти характеристики может быть выражен коэффициент диффузии для диффузионного процесса. [18]

Потенциальные кривые для иона Н3О и адсорбированного атома водорода. [19]

Размер адсорбированного атома, меньше размера гидрати-рованного иона, и точка В, в которой находится в равновесии центр атома, лежит ближе к поверхности. Кривая аа характеризует собой изменение энергии системы Н Н2Э при удалении протона из устойчивого равновесного состояния А. Кривая ЪЬ представляет собой изменение энергии при смещении адсорбированного атома водорода от своего равновесного положения В. [20]

Потенциалы адсорбированных атомов согласно модели распределения. [21]

Потенциалы адсорбированных атомов в модели кристаллической плоскости, соответствующие пропорциональному приближению. [22]

Электроны адсорбированных атомов взаимодействуют в этих системах с коллективом электронов адсорбента. В случае полупроводников важно, является ли адсорбированный атом акцептором или донором электронов. В первом случае электрон из заполненной зоны переходит на атом, во втором электрон атома переходит в зону проводимости ( см. гл. [23]

Адсорбат: адсорбированный атом, ион или молекула. Адсорбент: поверхность, на которой осуществляется процесс адсорбции. [24]

Энергия пары адсорбированных атомов в положении, соответствующем столкновению, равна Q % - f, и адсорбированные атомы должны сталкиваться по меньшей мере с этой энергией, чтобы быть в состоянии соединиться и выделиться в газовую фазу. [25]

Появление изображений адсорбированных атомов на микрофотографиях, полученных при помощи ионного проектора, доказано достаточно четко. На рис. 20 а приведены микрофотографии почти чистой поверхности вольфрама. На рис. 20 6 представлен эффект ослабления поля в присутствии газа, дающего изображение и содержащего 10 частей этилена на миллион: появилось несколько новых центров эмиссии. При более длительной адсорбции, как следует из рис. 20 в, все острие полностью покрыто. [26]

Скорость диффузии адсорбированных атомов и кластеров зависит не только от температуры и структуры поверхности металла, но также от наличия примесей в поверхностном слое и энергии взаимодействия одиночных атомов ( кластеров) с адсорбатом. Если связь молекулы адсорбата с атомом или группой атомов поверхностного слоя металла оказывается прочнее, чем его связь с соседними атомами металла, то может иметь место вырывание атома металла с поверхностного слоя с последующим перемещением по поверхности или переносом через газовую фазу вместе с молекулой адсорбата. [27]

Поверхностная концентрация адсорбированных атомов зависит от степени разрежения газа, рабочей температуры и тепловой обработки, предшествующей наблюдению. Указанные факторы затрудняют получение поверхности, обладающей нужными свойствами, например совершенно чистой или с заданной концентрацией посторонних атомов. Так как для удаления адсорбированного атома с поверхности необходима некоторая энергия, то концентрация адсорбированных атомов зависит, кроме того, от температуры поверхности. [28]

Кривые заряжения платино - УКЯЧЫВЯРТ ня нрпбпятимый хяпяк-вого электрода в различных 1 н. раст - Указывает на неооратимыи харак-ворах тер процессов адсорбции и десорб. [29]

В число адсорбированных атомов кислорода оказывается таким же, как число атомов водорода в начале кривой заряжения. [30]

Страницы: 1 2 3 4