Напряжение - включение
Cтраница 4
Фототиристор - тиристор, напряжение включения которого уменьшается с увеличением освещенности. [46]
 |
Шунтирование коллекторного ( а или эмиттерного ( б перехода. [47] |
Рассмотренные методы позволяют уменьшать напряжение включения р-п - р - - структуры. Максимально достижимое напряжение включения определяется напряжением пробоя коллекторного р-п-перехода. При большой толщине баз определяющим является лавинный пробой коллекторного перехода. [48]
Реле включения проверяют по напряжению включения и напря-сению выключения. [49]
Основными параметрами тиристоров являются: напряжение включения при / у т0, 1 / вкл т ( до 1000 В); максимальный ток ( до 100 А); ток включения / вкл, т единицы миллиампер); напряжение в открытом состоя - нии 1 / откр т ( около 1 В); ток в закрытом состоянии / закр. [50]
После регулировки зазора обязательно проверяют напряжение включения реле. [51]
При приеме сигнала черно-белого изображения напряжение включения режекции, снятое со схемы опознавания, близко к нулю, транзистор в МС AS8 - DI закрыт, на его коллекторе напряжение равно 12 В, поэтому диод AS8 - D1 также закрыт. Таким образом, режекторный контур AS8 - ( C2, Li, L3) отключен от корпуса диодом и транзистором и не влияет на форму частотной характеристики яркостного канала. Импульсные напряжения коммутации не могут открыть диод AS8 - D1, так как их величина меньше запирающего напряжения. [52]
Рассмотренная структура имеет малый разброс напряжения включения f вкл. Недостатком ее является малое отношение / Выкл / вкл и малый диапазон тока А / / выкл - - вкл соответствующий участку отрицательного сопротивления входной в. [53]
На рис. 5 показана зависимость напряжения включения от тока базы. [54]
 |
Зонная структура солнечных гетерофотоэлемснтов. а - структура с промежуточным варизонным слоем. б - структура с промежуточным преобразованием КВ-света в люминесцентное. [55] |
Высокий г; позволяет управлять напряжением включения путем преобразования электрич. Это исключает ограничения на время включения, связанное с диффузией и дрейфом носителей заряда, а также с временем распространения включенного состояния. [56]
Практически с увеличением управляющего тока падает напряжение включения. Наконец, по достижении управляющим током значения / у3 / у с тиристор сразу при подаче на него даже очень малого положительного напряжения переходит в состояние высокой проводимости. Следует указать еще на один вариант перехода тиристора из закрытого в открытое состояние. [57]
При токе источника излучения 10 мА напряжение включения тиржгщра падает от нескольких сотен вольт до нескольких вольт. Коммутируемый ток этого оптрона составляет несколько сотен миллиампер. Выключение прибора может осуществляться, как обычно, снятием питающего напряжения. Однако в дальнейшем, когда будут достигнуты успехи в разработке выключаемого фототиристора, важнейшая проблема полной замены электромеханических реле оптоэлектронными функциональными элементами будет разрешена. [58]
Из формулы (5.9) видно, что напряжение включения триодного тиристора зависит от управляющего тока. Формула может быть справедлива при меньших напряжениях на аноде тиристора, если через управляющий электрод будут проходить большие значения управляющего тока в прямом направлении. Кроме того, из условия (5.9) можно сделать вывод о целесообразности осуществления управляющего вывода от тонкой базы триодного тиристора, так как управлять коэффициентом передачи тока эмиттера транзисторной структуры с тонкой базой значительно легче, чем с толстой базой. [59]
Характерной особенностью тиристоров является возможность снижения напряжения включения. Для этого замыкают ключ Ву ( рис. 55, г) и подают на управляющий электрод У положительный потенциал напряжения управления С / у от вспомогательного источника питания. С возрастанием тока управляющего электрода уменьшается напряжение включения ( открытия) тиристора, что показано на рис. 55, б пунктиром. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5