Зависимость - напряжение - холостой ход
Cтраница 1
Зависимость напряжения холостого хода от распределения потока излучения по светочувствительной поверхности фотоэлемента объясняется нелинейной зависимостью сопротивления р - n - перехода от освещенности. Обычно эта нелинейная зависимость считается недостатком фотогальванических фотоэлементов. [1]
Зависимость напряжения холостого хода Voc солнечного элемента от t может иметь три характерные области, соответствующие условиям высокого, промежуточного и низкого уровней ин-жекции. [2]
 |
Характеристики германиевого фотодиода как фотоэлемента. [3] |
На рис. 6 приведены зависимости напряжения холостого хода f / x.x и тока короткого замыкания / к. Нетрудно видеть, что внутреннее сопротивление фотоэлемента уменьшается с ростом освещенности. При освещенности 100 лк оно равно 6 ком, а при освещенности 5 000 лк - 0 7 ком. [4]
На рис. 102 показана зависимость напряжения холостого хода и тока короткого замыкания для кремниевого фотоэлемента, изготовленного из p - Si с концентрацией носителей около 101в см-3 диффузией сурьмы. Видно, что рост тока продолжается до значительно больших уровней освещенности, чем рост напряжения С / хх, которое уже при мощности излучения Wi 0 1 в / см2 достигает насыщения. [5]
Для трансформатора с подвижными обмотками характерна некоторая зависимость напряжения холостого хода от расстояния между обмотками. При раздвижении обмоток вследствие роста потока рассеяния, замыкающегося по воздуху в окне между стержнями, напряжение холостого хода снижается на 3 - 6 % относительно значения, получаемого при сдвинутых обмотках. [6]
 |
Схемы трансформаторов с плавно-ступенчатым регулированием ( а - в и регулировочная характеристика трансформатора ( г. [7] |
Для трансформаторов с подвижными обмотками характерна некоторая зависимость напряжения холостого хода от расстояния между обмотками. [8]
 |
Схема измерения сопротивления контактного соединения. [9] |
Чтобы проверить исправность магнитной системы, измеряют ток холостого хода трансформаторов и электродвигателей или снимают характеристику холостого хода ( зависимость напряжения холостого хода от тока возбуждения) для генераторов. Если магнитная система неисправна, увеличивают ток холостого хода при том же напряжении. [10]
Фотодиод, не потребляющий тока от внешнего источника, представляет собой фотоэлемент. На рисунке показаны графики зависимости напряжения холостого хода и тока короткого замыкания от освещенности. [11]
Основные повреждения магнитной системы, выявляемые при испытаниях, - это замыкание между изолированными листами стали в шихтованных сердечниках трансформаторов и электрических машин и витшвые замыкания в обмотках. Чтобы проверить исправность магнитной системы, измеряют ток холостого хода трансформаторов и электродвигателей или снимают характеристику холостого хода ( зависимость напряжения холостого хода от тока возбуждения) для генераторов. Если магнитная система неисправна, увеличивают ток холостого хода при том же напряжении. [12]
На рис. 8.6 представлена зависимость напряжения холостого хода от расстояния между обмотками для трансформатора, рассчитанного на токи от 450 до 1000 а. Расчетное определение такой зависимости связано с трудностями и для практических целей не представляет особого интереса. [13]
Легирование приводит к уменьшению ширины обедненного слоя, снижению удельного сопротивления CdS и незначительному повышению спектральной чувствительности элементов. Аналогичные результаты получены Луке и др. [107] при исследовании солнечных элементов на основе Cu2S - CdS со слоем легированного сульфида кадмия. Проведенные авторами измерения вольт-фарадных характеристик этих элементов показали, что по сравнению с нелегированными элементами ширина области пространственного заряда уменьшилась в 4 раза, концентрация доноров у границы раздела возросла в 16 раз, а концентрация доноров в объеме GdS повысилась в 50 раз. Отношение обратных токов насыщения легированны и нелегированных элементов приблизительно равно отношению соответствующих значений электрической проводимости слоев. Авторами обнаружено существование зависимости напряжения холостого хода Voc и спектральной чувствительности от уровня легирования. Изменения КПД и Voc элементов при вариациях концентрации примесей объясняются различиями в значениях последовательного и шунтирующего сопротивлений, а также обратного тока насыщения. [14]
Страницы: 1