Особенность - элемент
Cтраница 1
Особенность элементов памяти в том, что время обслуживания заявок в памяти явным образом не устанавливается. Предполагается, что поступившая на вход памяти заявка занимает память или поступает в очередь в соответствии с дисциплиной обслуживания и с учетом имеющегося свободного объема памяти. Выделенный заявке сегмент памяти остается занятым при любых перемещениях заявки в сети после выхода из памяти. [1]
Особенности социально-психологических элементов, связанных с этими факторами, отражены в 6.4. Здесь пойдет речь об особенностях психофизиологических элементов условий труда в связи с применением новых технических средств. [2]
Особенности элементов побочных подгрупп, проявляющиеся в характерных для них степенях окисления, в физических и химических свойствах простых веществ и соединений, образованных этими элементами, обусловлены особенностями электронного строения их атомов. [3]
Особенность элементов ПТТЛ фирмы Fairchild заключается в применении температурной компенсации. [4]
Особенностью элемента № 6 является то, что в его атомах число валентных электронов равно числу валентных орбита-лей. Из этого обстоятельства проистекает ряд следствий, важных для понимания причин, определяющих выделение химии углерода в особый раздел химии. [5]
Особенностью элементов этой системы является постоянство напряжения во все время их разряда. Это вызывается, с одной стороны, постоянством концентрации ионов хлора, а с другой, - полным отсутствием водородной поляризации положительного электрода и медленным нарастанием концентрации цинка. [6]
 |
Передаточные характеристики элемента ТТЛ. [7] |
Особенностью элемента ТТЛ является то, что он имеет приблизительно одинаковую помехоустойчивость для импульсов помехи положительной и отрицательной полярности. Типовая величина статической помехоустойчивости при нормальной температуре составляет около 1 В, а при температуре 125 С - около 0 4 - 0 5 В. [8]
Эти особенности кайносимметричных элементов обусловлены меньшим экранированием валентных электронов. Внутренние максимумы радиального распределения электронной плотности для некайносимметричных валентных орбиталей совпадают с аналогичными максимумами заполненных внутренних орбиталей той же симметрии. Вследствие этого некайносимметричные электроны испытывают значительно больший эффект экранирования, из-за чего их связь с ядром существенно слабее по сравнению, с кайносимметричными электронами. [9]
Эти особенности кайносимметричных элементов обусловлены меньшим экранированием валентных электронов. Внутренние максимумы радиального распределения электронной плотности для некайносимметричных валентных орбиталей совпадают с аналогичными максимумами заполненных внутренних орбиталей той же симметрии. Вследствие этого некайносимметричные электроны испытывают значительно больший эффект экранирования, из-за чего их связь с ядром существенно слабее по сравнению с кайносимметричными электронами. [10]
Рассмотренные выше особенности элементов ТТЛ обеспечивают им широкое применение в настоящем и благоприятный прогноз на будущее. Элементы ТТЛ могут применяться в устройствах самого разного назначения, уступая другим системам элементов лишь в некоторых частных случаях. Например, при требованиях очень малой потребляемой мощности преимущества имеют некоторые МОП-структуры, в условиях высоких помех - некоторые варианты ДТЛ, для дешевых простых устройств более выгодными могут оказаться элементы РТЛ1, для устройств максимального быстродействия - схемы транзисторной логики с переключением эмиттерного тока. Если же говорить об условиях, характерных для ЦВМ, то в них достоинства ТТЛ проявляются в сильной степени и не случайно на этнх элементах реализуются разработанные странами СЭВ цифровые вычислительные системы третьего поколения ( серии Ряд) ЕС-1020, ЕС-1030, ЕС-1040. [11]
Следует отметить еще одну особенность элементов 2-го периода; для них характерно образование ртг-ртг-связей. Для элементов 3-го и последующих периодов этот тип перекрывания орбиталей не характерен. [12]
Характерно, что эта особенность элементов главных подгрупп III, IV, V, VI и, вероятно, VII групп приходится именно на высокие потенциалы, отвечающие в пределе номеру группы, так как именно в этих условиях ионизация после отнятия всех внешних р-электронов затрагивает s - электроны. Если стать на ту точку зрения, что явления вторичной периодичности для потенциалов ионизации связаны в первую очередь с поведением s - электронов, следует предположить, что для d - элементов вторично-периодические аномалии будут проявляться не на высоких, а на низких потенциалах, а именно на первых двух, когда могут быть затронуты два s - электрона. [13]
Однако в связи с особенностями вихревых элементов коэффициенты усиления определяются несколько иначе, чем это делалось для струйных элементов ранее рассмотренных типов. [14]
Вспомним его замечание об особенностях элементов X и Y: они лишены способности к химическому реагированию. [15]
Страницы: 1 2 3 4