Cтраница 3
От линии отрыва отходит, как мы знаем, уходящая в глубь жидкости поверхность, ограничивающая область турбулентного движения. Движение по всей турбулентной области является вихревым, между тем как при отсутствии отрыва оно было бы вихревым лишь в пограничном слое, где существенна вязкость жидкости, а в основном потоке ротор скорости отсутствовал бы. Поэтому можно сказать, что при отрыве происходит проникновение ротора скорости из пограничного слоя в глубь жидкости. Но в силу закона сохранения циркуляции скорости такое проникновение может произойти только путем непосредственного перемещения движущейся вблизи поверхности тела ( в пограничном слое) жидкости в глубь основного потока. Другими словами, должен произойти как бы отрыв течения в пограничном слое от поверхности тела, в результате чего линии тока выходят из пристеночного слоя в глубь жидкости. Поэтому и называют это явление отрывом или отрывом пограничного слоя. [31]
Адсорбция молекулы спирта кислородным атомом на координационно-ненасыщенном атоме алюминия ( I) вызывает появление гидридной подвижности водорода при а-углеродном атоме и увеличение кислотности водорода ОН-группы. Активированная молекула спирта взаимодействует с молекулой кетона, образуя циклический переходный комплекс, при распаде которого получаются продукты переноса водорода. Эта схема хорошо отражает суть явления, а именно перенос водорода от одной молекулы к другой без промежуточного выделения его. В работе [10] также предполагается, что реакция диспропорционирования водорода между метил-этилкетоном и изопропиловым спиртом на MgO осуществляется непосредственным перемещением водорода от молекулы донора к молекуле акцептора, адсорбированных на двух соседних активных центрах. [32]
Так, последовательно переходя из одного атома в другой, дырка, появившаяся в крайнем правом атоме 3, через некоторое время образуется в крайнем левом атоме / ( рис. 5, б, положение / / /), затем процесс будет повторяться. Таким образом, проводимость чистого полупроводника обусловлена встречным перемещением одинакового количества отрицательных и лоложительных носителей зарядов. Перемещение дырок совпадает с направлением электрического поля, а перемещение электронов имеет встречное направление, в соответствии с чем различают два вида проводимости полупроводников: электронную и дырочную. В кристаллической решетке атомы не перемещаются, а стационарно расположены в узлах решетки и движение дырки - это поочередная ионизация неподвижных атомов. Следовательно, нельзя представлять дырку как непосредственное перемещение положительных зарядов; дырка - понятие чисто условное. Термин дырка введен для упрощения рассмотрения сложных процессов движения электронов в кристаллической решетке. [33]
Силовые и контрольные кабели поступают от заводов-изготовителей на склады заказчиков или монтажных организаций намотанными на деревянные барабаны с деревянной обшивкой, служащей для защиты кабелей от механических повреждений и непосредственного воздействия на них солнечных лучей и атмосферных осадков. Внутренний конец кабеля выводится наружу, прикрепляется к стенке барабана и закрывается деревянной коробкой. Размер барабана определяется длиной и весом наматываемого на нем кабеля. На всех барабанах, на обеих их щеках, имеются металлические втулки. При помощи стальных валов или труб, вставляемых в эти втулки, производятся подъем барабанов и вращение их при размотке кабеля. Конструкция барабанов рассчитана на непосредственное перемещение их вместе с кабелем по горизонтальным и наклонным плоскостям. Перекатку барабанов с кабелями необходимо выполнять по направлению, указанному стрелками, нанесенными на одной из щек на наружной стороне барабана. Неправильная перекатка барабана приводит к тому, что витки намотанного кабеля распускаются и набегают друг на друга. Это всегда бывает связано с повреждением изоляции кабеля. [34]
Из рис. 19, а ( атом с дыркой изображен заштрихованным, а нейтральный атом - светлым) видно, что процесс перемещения дырки от одной парноэлектронной связи к другой равноценен перемещению частицы, имеющей положительный заряд. При отсутствии внешнего электрического поля движение электронов и дырок в кристалле происходит беспорядочно. Под действием электрического поля напряженностью Е ( рис. 19, а), приложенного к кристаллу, движение электронов и дырок становится упорядоченным, и в кристалле возникает электрический ток. Так, последовательно переходя от одного атома к другому, дырка, появившаяся в крайнем правом атоме 3, через некоторое время образуется в крайнем левом атоме / ( рис. 19, а, III), затем процесс будет повторяться. Таким образом, проводимость чистого полупроводника обусловлена встречным перемещением одинакового количества отрицательных и положительных носителей зарядов. Перемещение дырок совпадает с направлением электрического поля, а перемещение электронов - имеет встречное направление, в соответствии с чем различают два вида проводимости полупроводников - электронную и дырочную. В кристаллической решетке атомы не перемещаются, а стационарно расположены в узлах решетки и движение дырки - это поочередная ионизация неподвижных атомов. Следовательно, нельзя представлять дырку как непосредственное перемещение положительных зарядов; дырка - понятие чисто условное. Термин дырка введен для упрощения рассмотрения сложных процессов движения электронов в кристаллической решетке. [35]