Cтраница 2
В случае значительного удаления конца непровара от свободных поверхностей образца ( рис. 6.8.1 с 0) они не влияют на результат испытания. Может оказаться, что результат испытания будет существенно зависеть от этих факторов. [16]
На рис. 6.7, 6.8 показаны профили скорости свободной поверхности образцов чистого титана, зарегистрированные с помощью лазерных измерителей скорости во взрывных экспериментах ( рис. 6.7) и при воздействии на образцы мощного импульсного ионного пучка. Во взрывных экспериментах вместо двухволновой структуры на волновых профилях регистрируется лишь уменьшение градиента скорости в волне сжатия. [17]
При исследовании жидкостей с большим коэффициентом поглощения рентгенограммы получаются отражением от свободной поверхности образца. В этом случае дифракционная картина фиксируется с той стороны от поверхности жидкости, с которой на нее направляется первичный поток рентгеновского излучения. При этом угол между первичным пучком и горизонтальной поверхностью образца не должен превышать 8 - 10, иначе интерференционные максимумы могут оказаться в области геометрической тени образца. [18]
Следует оговориться, что такой метод отражает процесс образования аустенита на свободной поверхности образцов, которая может оказывать некоторое влияние на кинетику фазовых превращений. Однако при сравнительном исследовании особенностей а - т-превращения для сталей с различным исходным состоянием этот фактор не может быть определяющим, так как роль свободной поверхности для всех состояний практически одинакова. Поэтому применение метода вакуумного травления дает вполне представительные результаты для суждения об особенностях процесса образования аустенита в сталях. [19]
Следует оговориться, что такой - метод отражает процесс образования аустенита на свободной поверхности образцов, которая может оказывать некоторое влияние на кинетику фазовых превращений. Однако при сравнительном исследовании особенностей а - т-превращения для сталей с различным исходным состоянием этот фактор не может быть определяющим, так как роль свободной поверхности для всех состояний практически одинакова. Поэтому применение метода вакуумного травления дает вполне представительные результаты для суждения об особенностях процесса образования аустенита в сталях. [20]
Члены Z Ф и 2 Фв в выражении (6.10.3) учитывают отражение теплоты от свободных поверхностей образца в отличие от формулы (4.4.1), в которой теплота распространяется в одном направлении, а Хв - ов. [21]
Согласование акустических сопротивлений образца с окружающей жидкой или твердой средой с помощью нанесения на свободные поверхности образца просветляющих слоев позволяет уменьшить или полностью устранить влияние боковых стенок на картину эхо-сигналов. [22]
Наиболее достоверный и информативный способ определения разрушающих напряжений при отколе базируется на измерении профиля скорости свободной поверхности образца. Как показано выше, анализ профиля скорости позволяет без дополнительных предположений найти величину растягивающих напряжений, действовавших в образце в момент начала разрушения. [23]
Ситуация с компенсацией волн реализуется в точке минимума перед фронтом откольного импульса на профиле скорости свободной поверхности образца. Акустический анализ, представленный в разделе 5.5, показывает, что минимум на волновом профиле образуется тогда, когда скорость разрушения в четыре раза превышает скорость расширения вещества в разгрузочной части падающего импульса сжатия. [24]
Наиболее достоверный и информативный способ определения разрушающих напряжений при отколе базируется на измерении профиля скорости свободной поверхности образца. Как показано выше, анализ профиля скорости позволяет без дополнительных предположений найти величину растягивающих напряжений, действовавших в образце в момент начала разрушения. [25]
Ситуация с компенсацией волн реализуется в точке минимума перед фронтом откольного импульса на профиле скорости свободной поверхности образца. Акустический анализ, представленный в разделе 5.5, показывает, что минимум на волновом профиле образуется тогда, когда скорость разрушения в четыре раза превышает скорость расширения вещества в разгрузочной части падающего импульса сжатия. [26]
При емкостном методе измерения скорости свободной поверхности создается конденсатор, одной из обкладок которого является исследуемая свободная поверхность образца мишени. [27]
При емкостном методе измерения скорости свободной поверхности создается конденсатор, одной из обкладок которого является исследуемая свободная поверхность образца мишени. [28]
Все разрушения, описанные выше, можно объяснить с точки зрения отражения расходящегося импульса давления от свободных поверхностей образца. Распространение импульса аналогично тому, которое описывается в геометрической оптике при изучении света. Однако, когда импульс распространяется вдоль оси конического образца, амплитуда его возрастает и форма изменяется при движении в направлении к вершине. Теория распространения продольного упругого импульса вдоль конуса, когда размер поперечного сечения мал по сравнению с длиной импульса, рассмотрена в гл. [29]
Испытанием на сжатие ( осадку) находят етр ос - степень деформации, соответствующую появлению на свободной поверхности образца первой трещины при осадке, а также qoc - удельное усилие при осадке в зависимости от степени деформации. При испытании на сжатие контактное трение оказывает существенное влияние на получаемые результаты. Коэффициент трения имеет переменное значение в зависимости от температуры, состояния контактирующих поверхностей, химического состава материалов и других факторов, учесть которые трудно. [30]