Положение - максимум
Cтраница 1
Положение максимумов и минимумов рассеяния должно быть выражено теперь через ( sin 6 / 2) / A, что делается следующим образом. [1]
 |
График ра-дкального распределения вероятности для 2р - электрона.| Схематическое [ IMAGE ] Схемати-изображение электрон - ческое изображение ного облака 2р - электрона. электронного облака. [2] |
Положение максимума на кривой распределения вероятности не зависит от выбора направления. Однако высота этого максимума зависит от направления: она наибольшая, когда радиус-вектор совпадает с направлением оси х, и убывает по мере отклонения радиуса-вектора от этого направления. [3]
Положение максимума на кривой функции возбуждения зависит от мультиплетности исходного и возбужденного уровня ( терма) атома. При возбуждении термов той же мультиплетности, что и исходный терм атома, функция возбуждения нарастает довольно медленно, достигая максимального значения при больших значениях скоростей электронов. Скорость электронов в этих случаях обычно в несколько раз превышает минимальное значение скорости ( энергии) электрона, при которой оказывается возможным возбуждение атома. [4]
Положение максимумов зависит от вида сырья, отношения Т: Ж, температуры, времени и др. Скорость и достигаемая степень разложения фосфата кислотой низкой концентрации ( левый максимум) высоки; но применение кислоты низкой концентрации недопустимо, так как с ней вводится слишком большое количество воды и вместо твердого продукта получается несхватывающаяся пульпа. С повышением концентрации кислоты скорость разложения фосфата замедляется, достигает минимума, затем снова увеличивается. При разложении апатита серной кислотой с концентрацией выше 63 % жидкая фаза быстро Пересы - § щается сульфатом кальция, вследствие 5 чего выделяется большое количество 1 кристаллов полугидрата сульфата 8 кальция CaSO4 - 0 5H2O и ангидрита CaSO4 в форме мелких иголочек дли - S ной 5 - 7 мк и шириной - 2 мк. [5]
Положение максимума этой линии не зависит от частоты возбуждающей линии. Условие частот (4.100) типично для резонансной флуоресценции, а также для эффекта Шпольского. Замечательно, что контур и ширина линии резонансной флуоресценции не зависят от свойств возбуждающей линии. В частности, эта линия может быть значительно более узкой, чем возбуждающая линия. [6]
Положение максимума резко меняется при изменении толщины слоя закиси меди. [7]
Положение максимумов ( пятнышек) будет, конечно, зависеть и от угла между штрихами решеток. [8]
Положение максимума этой кривой ( вообще говоря) не имеет физического и практического смысла. [9]
Положение максимумов зависит, как и при механических воздействиях, от частоты воздействия, в данном случае, - от частоты электрического поля. Чем выше эти частоты, тем в сторону более высоких температур смещается максимум. Одновременно резкое изменение претерпевает и диэлектрическая проницаемость, которая возрастает с повышением температуры и уменьшается с увеличением частоты. [10]
 |
Влияние температуры на е и tg б ( при частоте 1 кГц для аморфного ( /, кристаллического ( 2 и ориентированного ( 3 по-лиэтилентерефталата. [11] |
Положение максимумов зависит от частоты электрического поля. [12]
Положение максимума на кривой во многом определяется характером щелочи, используемой для набухания. [13]
Положение максимума и его величина зависят от целого ряда факторов, важнейшими из которых являются расходы воздуха, кокса, размер кусков шихты. Влияние этих факторов должно составить предмет дальнейшего исследования процесса. Существование оптимального по производительности уровня подтверждает предположение о наличии в данной шахтной печи ( как и в других шахтных печах, в частности, в доменных) резервной высоты и о необходимости регулирования уровня. [14]
Положения максимумов не изменятся, б) высота центрального максимума станет в 4 раза меньше, в) ширина максимумов удвоится, г) суммарная площадь максимумов уменьшится в 2 раза. [15]
Страницы: 1 2 3 4