Примесь - различный элемент
Cтраница 1
Примеси различных элементов на электропроводность стеклообразного селена оказывают значительно меньшее влияние, чем на электропроводность кристаллического селена. При изменении напряженности поля сопротивление стеклообразного селена может изменяться в - 1000 раз. При изменении направления электрического поля характер зависимости сохраняется, свидетельствуя о том, что наблюдаемая зависимость обусловлена не контактными явлениями, а связана с объемными свойствами селена. При малых значениях напряженности тюля для установления стационарного тока требуется больше времени, чем при больших. [1]
Определение малых количеств примесей различных элементов приобретает особо важное значение в связи с проблемой получения ряда соединений и металлов высокой чистоты. Существующие в настоящее время методы анализа микропримесей не всегда удовлетворяют предъявляемым требованиям. Высокая чувствительность определения малых количеств радиоактивных веществ позволяет ставить вопрос о возможности использования их в указанных целях. [2]
Образцом служил угольный порошок с введенными в него примесями различных элементов. [3]
В чистых веществах, применяемых в ряде отраслей современной техники, содержание примесей различных элементов лимитируется в интервале от 10 - 5 до 10 - 9 % и менее. [4]
В качестве анализируемого образца служил брикет угольного порошка с введенными в него примесями различных элементов при содержании 1 10 - 3 % каждого. В качестве рабочего газа применяли гелий, так как он по своим свойствам ( легкость очистки от примесей воздуха, малая масса атомов), по-видимому, больше всего подходит для анализа, при котором определение ведут из какой-нибудь основы. Применение в этом случае тяжелых инертных газов из-за их сильной распылительной способности приводит к появлению интенсивного спектра элемента основы, что затрудняет проведение анализа. [5]
Экстракция внутрикомплексных соединений может найти довольно широкое применение в качестве способа очистки водных растворов от примесей различных элементов. [6]
 |
Зависимость КОЧ с30цд / Сст для калия и Ш. [7] |
Они представляют собой компактные непроводящие стеклообразные вещества, основу которых составляют: SiO2 - 72 %, СаО - 12 %, Na2O - 14 %, А12О3 - 2 % по массе. При их изготовлении в стеклообразную матрицу были введены 27 примесей различных элементов, перекрывающих практически весь интервал масс периодической системы от бора до свинца включительно. Содержание этих примесей в стандартных образцах было определено наиболее прецизионными методами: с помощью изотопного разбавления, атомной абсорбцией, пламенной фотометрией, нейтронно-активационным методом и др. Эти данные были приняты за истинные значения и использованы для сопоставления с результатами масс-спектромет-рических измерений. Отличие стандартных образцов друг от друга заключалось главным образом в содержании введенных примесей в одну и ту же основу. [8]
 |
Механизм возникновения электронной и дырочной проводимости у германия ( двумя черточками обозначены связи между атомами германия, осуществляемые спаренными электронами. [9] |
В идеальном случае ( когда отсутствуют посторонние примеси в кристалле полупроводника) число свободных электронов равно числу дырок и в проводимости электроны и положительные заряды ( дырки) участвуют в равных количествах. Такую проводимость называют собственной проводимостью. Введением примесей различных элементов можно создать такие условия, когда число электронов не равно числу дырок. [10]
На электрические свойства германия оказывают влияние различные факторы, из которых основную роль играет наличие посторонних примесей в кристаллической решетке германия. Так, примеси элементов I - III групп периодической системы вызывают в германии проводимость дырочного типа, примеси элементов V-VI групп вызывают электронную проводимость. В связи с этим с особой остротой встает вопрос об анализе металлического германия на содержание примесей различных элементов. [11]
Загрязненные материалы также используются в полупроводниковой практике, но степень их загрязнения не должна превышать установленных для каждого конкретного случая строго определенных нормативов. В загрязненном материале присутствуют примеси чужеродных атомов одного или даже одновременно нескольких элементов. Как правило, загрязнение всех известных в настоящее время полупроводниковых веществ обусловлено наличием в них примесей различных элементов. [12]
В электротехнике и электромашиностроении часто требуются металлы с определенной электропроводностью. Так, например, чистые металлы, особенно медь, обладают высокой электропроводностью, сплавы же обладают меньшей электропроводностью. Поэтому для электропроводов, где во избежание потерь энергии требуется хорошая электропроводность, применяют медь, алюминий и другие металлы с некоторой примесью различных элементов для придания механической прочности. [13]
В настоящее время фоторезисторы изготавливаются на основе полупроводниковых материалов, обладающих как собственной, так и примесной фотопроводимостью. К первой группе следует отнести фоторезисторы на основе соединений свинца ( PbSe, PbS. В последнее время стали разрабатываться фоторезисторы на основе тройных соединений типа HgCdTe, PbSnTe, представляющие собой твердые растворы двух компонент ( HgTe и CdTe, PbTe и SnTe), у которых область спектральной чувствительности может изменяться в широких пределах в зависимости от количественного содержания отдельных компонент. Ко второй группе относятся фоторезисторы на основе германия и кремния, легированных примесями различных элементов - золота ( Qe: Au), золота и сурьмы ( Ge: Аи, Sb), цинка ( Ge: Zn), цинка и сурьмы ( Qe: Zn, Sb), меди ( Ge: Си), кадмия ( Ge: Cd), ртути ( Ge: Hg), бора ( Si: В), а также сплав кремния с германием, легированный цинком и сурьмой ( Ge-Si: Zn, Sb), и другие сочетания примесей. [14]
Страницы: 1 2