Cтраница 2
В присутствии веществ, в достаточной концентрации легко реагирующих с серной кислотой, последняя в обычных процессах очистки не действует на алканы и цикланы. Однако почти всегда в кислом гудроне эти углеводороды обнаруживаются. Присутствие их в нем объясняется не химическим изменением этих углеводородов под влиянием серной кислоты, а растворимостью, которая зависит от характера очищаемых продуктов. [16]
В присутствии веществ, инициирующих ионную полимеризацию, из акролеина образуются низкомолекулярные вязкие смолы различного состава. [17]
В присутствии веществ, препятствующих определению запаха ( сульфиты, тиосульфаты, цианиды), вещество растирают с борной кислотой. Или получают осадок основного ацетата Fe из нейтрального испытуемого раствора, прибавляя по каплям раствор FeCl3 и нагревая до кипения; осадок собирают на фильтр, хорошо промывают и высушивают в сушильном шкафу. [18]
В присутствии веществ, устраняющих жесткость воды, смеси мыла с синтетическими моющими веществами с успехом могут применяться. [19]
В присутствии иных веществ, в достаточной концентрации, легко-реагирующих с серной кислотой, действие последней на парафиновые и нафтеновые углеводороды не проявляется в обычных процессах очистки. Почти всегда, однако, в кислом гудроне эти углеводороды обнаруживаются. Присутствие их в кислом гудроне объясняется не химическим изменением этих углеводородов под влиянием серной кислоты, а растворимостью, которая зависит от характера очищаемых продуктов. [20]
В присутствии поверх-ностноактивиых веществ токсичность для рыб возрастает. [21]
В присутствии тонкодиспергированных веществ вязкость воды увеличивается и, кроме того, существенно изменяется плотность дисперсионной среды. [22]
В присутствии гасящих веществ поступают следующим образом: отбирают такую же аликвотную часть анализируемого образца, добавляют к ней по крайней мере в 10 раз больше урана, чем содержится в анализируемой пробе ( предположительно), сплавляют, определяют интенсивность флуоресценции и рассчитывают содержание урана по этим двум замерам интенсивности флуоресценции ( стр. [23]
В присутствии органических легкоокисляющихся веществ возможно самопроизвольное разложение нитрата аммония со взрывом вследствие ауто-каталитического действия окислов азота и водяных паров, образующихся при разложении соли. [24]
В присутствии веществ кислотного характера и растворителей, содержащих подвижный атом водорода, ионная полимеризация подавляется, и рост полимерной цепи происходит по радикально-цепному механизму. [25]
Автокатализ ( присутствие вещества X ускоряет процесс образования его в результате реакции), автоингибиция ( присутствие вещества X блокирует катализ, необходимый для производства X) и кросс-катализ ( каждое из двух веществ, принадлежащих различным цепям реакций, является катализатором для синтеза другого) лежат в основе классического механизма регуляции, обеспечивающего согласованность метаболической функции. [26]
В случае присутствия веществ, ослабляющих люминесценцию, миграция ячеек к уровню этих веществ подчиняется тем же правилам, что и миграция к зеленым центрам. Следовательно, процесс фосфоресценции, допускающий максимум перехода к зеленым центрам, допускает и максимум перехода к центрам веществ, ослабляющих свечение. Таким образом, эти вещества оказывают большее влияние на фосфоресценцию, чем на флуоресценцию. [27]
Трудности обусловлены присутствием веществ, экстрагирующихся с адсорбента; такие вещества поглощают электромагнитную энергию и мешают абсорбционным измерениям, особенно в интервале 200 - 250 нм. В работе [18] исследованы этанольные экстракты из силикагеля G, для которых был замечен отчетливый пик при 218 нм, являющийся суммой пиков, полученных от силикагеля и гипса. [28]
Различия объясняются присутствием тормозящих веществ ( стр. Эти примеси при адсорбции на микрокристаллах галогенида серебра задерживают их рост в первом созревании и оказывают сопротивление росту центров светочувствительности и вуали при втором созревании. [29]
Однако в присутствии веществ, способных в той или иной степени при определенных значениях потенциалов изменять заряд на поверхности электрода, на поляризационной кривой при этих значениях потенциалов появляются перегибы. [30]