Cтраница 3
Все процессы рассеяния, вследствие которых распределение фононов стремится к равновесному, оказывают прямое влияние на теплопроводность. Для большинства процессов интенсивность рассеяния зависит от частоты фононов, и N-процессы играют важную роль, перераспределяя энергию между различными модами и тем самым препятствуя сильному отклонению от равновесной населенности в каждой моде. Вообще говоря, трудно выделить вклад от N-процессов, и необходим довольно подробный анализ экспериментальных результатов, чтобы понять, как сказываются N-процессы на теплопроводности. [31]
Рассмотрим процесс рассеяния, графически изображенный на фиг. [32]
Такой процесс рассеяния может быть описан лишь на основе волновых представлений, поскольку в данном явлении участвует значительная область кристалла и необходимо учитывать разности фаз ( понятие сугубо волновое) между вторичными волнами, рассеиваемыми на различных атомах кристалла. Если попытаться подойти к рассеянию электронов, опираясь на корпускулярные представления, то нужно будет рассматривать траекторию электрона, соударяющегося с поверхностью кристалла в одной точке, как это показано ломаной на рисунке. Но в этом случае отражение электрона от кристалла зависело бы лишь от физических свойств кристаллической поверхности в точке падения, а не от всей упорядоченной структуры кристалла; кроме того, корпускулярные представления делают невозможным введение понятия разности фаз. [33]
Рассмотрим процесс рассеяния, который может происходить через одночастичные промежуточные состояния с одним виртуальным фотоном. [34]
Поэтому процесс рассеяния формально можно рассматривать как процесс поглощения или излучения фонона электроном. До столкновения электрон обладал волновым числом k, после столкновения он имеет волновое k k f, где f - волновой вектор фонона. Можно считать, что при переходе fe-fe происходит поглощение ( при k - k f) или излучение ( при k - k - /) фонона. [35]
Рассматривая процессы рассеяния, мы предполагали до сих пор, что рассеивающий центр неподвижен. В реальных экспериментах по рассеянию происходит рассеяние одной частицы на другой. В этом случае мы сталкиваемся с ситуацией, подобной той, какая рассматривалась несколько раньше в этом же параграфе; речь идет о задаче двух частиц, взаимодействующих между собой. Мы видели там, что относительное движение частиц выглядит так, как если бы центр масс всей системы покоился, а частица, масса которой равна приведенной массе, двигалась бы в силовом поле, порождаемом тем самым потенциалом, из которого получались силы, действующие между частицами. [36]
Рассмотрим процесс рассеяния во времени и отождествим асимптотическое in - состояние с состоянием системы при, - - о, а out - состояние - с состоянием при А: О - ОО. [37]
Рассматривая процессы рассеяния, мы предполагали до сих пор, что рассеивающий центр неподвижен. В реальных экспериментах по рассеянию происходит рассеяние одной частицы на другой. В этом случае мы сталкиваемся с ситуацией, подобной той, какая рассматривалась несколько раньше в этом же параграфе; речь идет о задаче двух частиц, взаимодействующих между собой. Мы видели там, что относительное движение частиц выглядит так, как если бы центр масс всей системы покоился, а частица, масса которой равна приведенной массе, двигалась бы в силовом поле, порождаемом тем самым потенциалом, из которого получались силы, действующие между частицами. [38]
Рассмотрим процесс рассеяния на мессбауэровском атоме, причем будем считать его неподвижным, чтобы не учитывать пока температурного фактора. [39]
Сам процесс рассеяния теперь представляется в виде падающей из бесконечности плоской волны на рассеивающий центр, от которого расходятся сферические волны. Асимптотика волновой функции при рассеянии представляет суперпозицию плоской волны, описывающей падающий вдоль оси г поток частиц с начальным импульсом ро, и сферической волны, расходящейся от рассеивающего центра. [40]
Рассмотрим процесс рассеяния фотона на электроне. [41]
Этот процесс каскадного рассеяния особенно важен потому, что сопровождается усилением, аналогичным усилению первой стоксовои компоненты. [42]
Если процессы рассеяния носителей заряда описываются в приближении времени релаксации т, то для зонной мсдели с одной параболической зоной в результате решения кинетического уравнения Больцмана можно получить выражения для указанных гальвано-магнитных явлений при слабых и сильных магнитных полях. [43]
Рассмотрим процесс рассеяния заряженной частицы на потенциале Е / (), понимая его как гамильтониан возмущения. [44]
Этот процесс последовательных рассеяний частицы ядрами, мимо которых она движется, называется процессом многократного кулоновского рассеяния. Разумеется, проследить за всеми деталями этого процесса экспериментально невозможно. Из предыдущего ясно, что угол многократного рассеяния тем больше, чем меньше ( при прочих равных условиях) масса частицы. Так, например, след медленного электрона в фотоэмульсии из-за многократного рассеяния имеет существенно извилистый характер, в то время как след протона такой же скорости практически прямолинеен я для обнаружения эффекта многократного рассеяния нужны специальные очень точные измерения. Сильная зависимость величины угла многократного рассеяния от массы частицы может быть использована для ее определения. Для получения соответствующей формулы рассмотрим процесс многократного рассеяния более детально. [45]