Величина - обратный ток
Cтраница 1
Величина обратного тока весьма слабо влияет на время выключения. [1]
 |
Вольт-амперная характеристика диода. [2] |
Величина обратного тока ( участок ОВ) очень мало зависит от приложенного обратного напряжения. При большом значении обратного напряжения ( точка В на характеристике) наступает электрический пробой р - п-перехо-да. При повышении температуры оно снижается. [3]
Величина обратного тока ( участок OS) очень мало зависит от приложенного обратного напряжения. При большом значении обратного напряжения ( точка В на характеристике) наступает электрический пробои р - я-перехода. При повышении температуры как прямой, так и обратный ток увеличиваются. Свойства диодов и их взаимозаменяемость оценивают по их параметрам. [4]
 |
Изменение тока через тиристор ( а и-распределение зарядов в базах ( б при выключении тиристора импульсом напряжения отрицательной. [5] |
Величина обратного тока на интервале t0 н - / а практически не меняется, так как в базах тиристора накоплен большой заряд неравновесных носителей. [6]
 |
Характеристики газотрона в непроводящем направлении. а - графики прямого и обратного токов. 6 - зависимость l / обр доп от температуры баллона газотрона t. [7] |
Величина обратного тока / зависит от давления газа, скорости нарастания отрицательного потенциала на аноде, величины имевшегося до этого прямого тока и конфигурации анода. Обычно обратный ток составляет доли процента от прямого тока. [8]
Величина обратного тока, которая обусловливает утечку тока. Эта величина должна быть возможно малой. [9]
Величина обратного тока через переход определяется в основном свойствами материала ( т, п), температурой ( ref) и геометрией р-п перехода. Для определенной температуры и определенного полупроводника при напряжениях ниже пробивного ток насыщения есть величина постоянная, определяющая вид вольтамперной характеристики перехода, смещенного в обратном направлении. [10]
Величина обратного тока ничтожно мала, но при очень большом отрицательном напряжении на аноде положительные ионы, ударяясь о поверхность анода, могут вызвать электронную эмиссию. [11]
Величина обратного тока 1СО коллекторного контакта также определяется в основном процессом формовки. Область р-типа должна образоваться в полупроводнике непосредственно под контактом и иметь хорошо выраженный дырочный характер. К сожалению, выполнение некоторых других требований формовки приводит к тому, что получаемая в результате р-область обладает малым временем жизни неосновных носителей заряда. Быстрая рекомбинация электронов в области обусловливает сравнительно высокие значения тока / со и таким образом успешная формовка в данном случае достигается лишь на основе компромисса. [12]
 |
Распределение токов, обусловленных инжек-цией дырок.| Обратное включение р-п перехода. [13] |
Величина обратного тока практически не зависит от внешнего обратного напряжения. Это можно объяснить тем, что в единицу времени количество генерируемых пар электрон - дырка при неизменной температуре остается неизменным. [14]
 |
Схема для измерения выходной проводимости транзисторов. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5