Рассеяние - мощность
Cтраница 1
 |
Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в режиме лавинного пробоя при различных сопротивлениях в его базе. [1] |
Рассеяние мощности транзистором имеет место при любом режиме работы, однако оно максимально, когда транзистор находится во включенном состоянии или выключается. При высокой частоте коммутации потери растут пропорционально частоте. С увеличением потребляемой мощности растет и температура транзистора. [2]
Рассеяние мощности в конденсаторах обусловливается как потерями мощности в металле, так и потерями мощности в диэлектрике. [3]
 |
Конструктивная схема широкополосного фазового модулятора бегущей волны. [4] |
Однако рассеяние модулирующей мощности в среде уменьшается с увеличением расстояния взаимодействия сигналов, при этом необходимо увеличивать длину оптического пути луча. [5]
 |
Зависимость ТК /. от температуры. [6] |
Коэффициент рассеяния мощности терморезистора Н определяется как отношение мощности, рассеиваемой на терморезисторе, к изменению температуры термочувствительного элемента относительно температуры окружающей среды. [7]
При этом рассеяние мощности при опросе и считывании составляет примерно 4 мВт на ячейку. [8]
В цепях переменного тока рассеяние мощности в катушках индуктивности иногда оценивают тангенсом угла магнитных потерь. [10]
Таким образом, пренебрежение рассеянием мощности в базе оправдано и при расчетах схемы на кремниевом транзисторе. [11]
Для стабилизатора с простым ограничением тока рассеяние мощности на транзисторе будет максимальным, если выход закорочен на землю ( случайно или из-за нарушения нормального функционирования схемы), и эта мощность рассеяния обычно превосходит мощность при номинальной нагрузке. Еще хуже обстоит дело для схем, в которых напряжение, падающее на проходном транзисторе, представляет собой небольшую часть выходного напряжения. [12]
Для стабилизатора с простым ограничением тока рассеяние мощности на транзисторе будет максимальным, когда выход закорочен на землю ( случайно или из-за неправильного изготовления схемы), и эта мощность рассеяния превосходит мощность при номинальной нагрузке. Еще хуже обстоит дело для схем, в которых напряжение, падающее на проходном транзисторе, представляет собой небольшую часть выходного напряжения. [13]
Эффект свертки двух спектров сводится к рассеянию мощности по полосе. [14]
 |
Стабилизатор напряжения на диоде Зенера ( стабилитроне. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5