Роль - сопротивление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5
Россия - неунывающая страна, любой прогноз для нее в итоге оказывается оптимистичным. Законы Мерфи (еще...)

Роль - сопротивление

Cтраница 5


61 Схема двигательной гондолы при наличии перепуска и подпитки. [61]

Сопротивление трения значительно повышается при течении с положительным градиентом давления, а образование зон отрыва потока приводит к увеличению сопротивления давления, что требует специального профилирования гондолы. Роль сопротивления трения относительно велика при дозвуковых скоростях полета.  [62]

Главный вывод, который следует из выражения ( 14 - 12), состоит в том, что токозадающий резистор R, должен иметь как можно большее сопротивление. Роль сопротивлений RT и гб незначительна, а сопротивление R0 не должно быть излишне большим.  [63]

Входное сопротивление, определяемое сеточной цепью 1-го каскада, не должно заметно шунтировать прецизионные сопротивления входного делителя. Роль сопротивления утечки сетки входной лампы выполняют сопротивления входного делителя, поэтому важно, чтобы сеточный ток и токи утечки по изоляции были настолько малы, чтобы их вариации не смогли заметно исказить измеряемый сигнал. Входные цепи необходимо монтировать на высококачественных изоляторах ( разъемах) и по возможности применять потенциальное экранирование. Ток сетки снижается правильным выбором режима входного каскада. Зависимость электронного тока от сеточного потенциала близка к экспоненциальной ( ток увеличивается в. Ионный ток существенно меньше и, что очень важно, при смещениях примерно до - 4 в он практически не зависит от потенциала сетки и изменяется с ростом анодного тока по закону / g Щ 10 - - 6 / а. Для обеспечения малого сеточного тока необходимо, следовательно, выбрать режим с ионным током сетки и ограничить величину анодного тока.  [64]

При открытых транзисторах Тг и Т3 транзистор Т4 закрывается, увеличивая сопротивление в цепи коллектора Т3 и предохраняя источник питания от перегрузки. Диод выполняет роль сопротивления для создания смещения транзистора Т4 и улучшения помехозащищенности схемы.  [65]



Страницы:      1    2    3    4    5