Оптическое электрическое свойство

Cтраница 4

В магнитных полупроводниках при температурах, меньших температуры магнитного упорядочения в ( точки Кюри), появля-естя как бы дополнительная по сравнению с обычными немагнитными полупроводниками степень свободы - магнитный порядок. Между магнитным порядком и полупроводниковыми свойствами материала ( электрическими, оптическими) имеются взаимосвязь и взаимовлияние, которые и вызывают разнообразные, свойственные исключительно этим материалам, эффекты. Например, вследствие зависимости зонной структуры от величины магнитного момента при понижении температуры до значений, меньших в, в магнитных полупроводниках наблюдается аномально сильный сдвиг края полосы поглощения. При этом ширина запрещенной зоны может как уменьшаться, так и увеличиваться. Магнетосо-противление в магнитных полупроводниках существенно больше, чем в обычных, и максимально вблизи точки Кюри. Возникает оно прежде всего из-за воздействия внешнего поля на намагниченность, а не непосредственно на носитель заряда, как в обычных полупроводниках. Эти эффекты обусловлены влиянием намагниченности на оптические и электрические свойства вещества. Существуют эффекты и обратного порядка. [46]

Плоская проволочная память. [47]

В магнитных полупроводниках при температурах, меньших температуры магнитного упорядочения 0 ( точки Кюри), появляется как бы дополнительная по сравнению с обычными немагнитными полупроводниками степень свободы - магнитный порядок. Между магнитным порядком и полупроводниковыми свойствами материала ( электрическими, оптическими) имеются взаимосвязь и взаимовлияние, которые и вызывают разнообразные, свойственные исключительно этим материалам, эффекты. Например, вследствие зависимости зонной структуры от величины магнитного момента при понижении температуры до значений, меньших 0, в магнитных полупроводниках наблюдается аномально сильный сдвиг края полосы поглощения. При этом ширина запрещенной зоны может как уменьшаться, так и увеличиваться. Магнетосопротивление в магнитных полупроводниках существенно больше, чем в обычных, и максимально вблизи точки Кюри. Возникает оно прежде всего из-за воздействия внешнего поля на намагниченность, а не непосредственно на носителе заряда, как в обычных полупроводниках. Эти эффекты обусловлены влиянием намагниченности на оптические и электрические свойства вещества. Существуют эффекты и обратного порядка. [48]

Высокополимерные и высокомолекулярные соединения ( ВМС) и их растворы занимают особое место в коллоидно-химической классификации. Растворы ВМС, являясь, по существу, истинными молекулярными растворами, обладают в то же время признаками коллоидного состояния. При самопроизвольном растворении ВМС диспергируются до отдельных макромолекул, образуя гомогенные, однофазные, устойчивые и обратимые системы ( например, растворы белка в воде, каучука в бензоле), принципиально не отличающиеся от обычных молекулярных растворов. Однако размеры этих макромолекул являются гигантскими по сравнению с размерами обычных молекул и соизмеримы с размерами коллоидных частиц. Поскольку дисперсность, как мы уже видели, существенно влияет на свойства системы, очевидно, что растворы ВМС должны обладать рядом признаков, общих с высокодисперсными гетерогенными системами. Действительно, по целому ряду свойств ( диффузия, задержка на ультрафильтрах, структурообразование, оптические и электрические свойства) растворы ВМС стоят ближе к коллоидным системам, нежели к молекулярным растворам. [49]

Описаны различные методы получения мк - Si: Н и принцип выбора оптимальных условий. Основное внимание уделено методу разложения в тлеющем разряде разбавленной силано-вой газовой смеси. Показано, что общей тенденцией изменения структуры пленок Si: Н, полученных разложением разбавленных газовых смесей на основе SiH4 в мощном высокочастотном тлеющем разряде, является их кристаллизация. Эта тенденция усиливается при осаждении легированных пленок. Структура осажденных пленок мк - Si: Н является смешанной - двухфазной и состоит из микрокристаллитов, растворенных в аморфной сетке. Объемная доля ( 50 - 100 %) и размер ( 60 - 200 А) микрокристаллитов, зависят от условий осаждения. Концентрация связанного водорода в нелегированных пленках мк - Si: Н не превышает 10 %, в то время как в легированных образцах она достаточно велика. В частности, можно получить пленки мк - Si: Н легированные фосфором и бором с большой оптической шириной запрещенной зоны. Оптические и электрические свойства мк - Si: Н обсуждаются во взаимосвязи со структурными свойствами. На основе всех имеющихся экспериментальных данных, включая и результаты исследования фотолюминесценции ( ФЛ), предложена модель структуры мк - Si: Н, согласно которой мк - Si состоит из трех фаз: аморфной люминесцентной, аморфной нелюминесцентной, микрокристаллической. [50]

Страницы: 1 2 3 4