Включения

Cтраница 2

Включения второй группы были отмечены в двух кристаллах берилла из пегматита северный Бордонаро, в одном кристалле из пегматита южный Бордонаро и в одном-из пегматита Слокум. Температурные данные для этих включений приведены на фиг. [16]

Включения распределены или ориентированы относительно зон роста или других первичных элементов кристаллов и не имеют никакой связи с трещинами или вторичными явлениями. [17]

Включения всех трех типов присутствуют в берилле из трех пегматитов. [18]

Включения и отключения, а также смена предохранителей на распределительных щитах, сборках во внутренних силовых и осветительных сетях производятся одним лицом с квалификацией не ниже II группы. Включения и отключения, а также смена предохранителей на щитах, в цеховых и наружных сетях, производимые с приставных лестниц или подмостей, должны выполняться двумя лицами с квалификацией старшего по работе - не ниже III группы и второго - не ниже II группы. Квалификация лица, обслуживающего основные участки цеховых распределительных устройств, должна быть не ниже III группы, а на второстепенных участках - не ниже II группы. [19]

Включения, как и дендриты образуются только при кристаллизации. В процессе роста кристалла на его гранях могут образовываться включения маточного раствора, в котором растет кристалл, либо механических примесей, содержащихся в кристаллизующейся среде. Внутри кристалла включения располагаются не произвольно, а по определенным правилам. Газовые пузырьки при захвате их кристаллом вытягиваются, образуя тонкие каналы, расположенные перпендикулярно к фронту кристаллизации. Так же располагаются и пузырьки маточного раствора. Однако ел сдает отметить, что изучены лишь некоторые виды включений: газовые, жидкие, твердые, газово-жидкие, трехфазные, причины и механизм их образования, в то время как их влияние на свойства материалов можно считать неисследованным. [20]

Включения, как и дендриты образуются только при кристаллизации. В процессе роста кристалла на его гранях могут образовываться включения маточного раствора, в котором растет кристалл, либо механических примесей, содержащихся в кристаллизующейся среде. Внутри кристалла включения располагаются не произвольно, а по определенным правилам. Газовые пузырьки при захвате их кристаллом вытягиваются, образуя тонкие каналы, расположенные перпендикулярно к фронту кристаллизации. Так же располагаются и пузырьки маточного раствора. Однако следует отметить, что изучены лишь некоторые виды включений: газовые, жидкие, твердые, газово-жидкие. [21]

Схема подключения человека к электрической цепи. [22]

Включения могут быть двух типов: двухполюсное и однополюсное. [23]

Включения и отключения трансформаторов под напряжение следует производить с той стороны, где установлена защита. [24]

Включения и отключения электрооборудования торфяных машин, передвижных трансформаторных подстанций, питающих один агрегат напряжением до 10 кВ, выполняются единолично лицом с квалификационной группой не ниже III, по устному распоряжению, в соответствии с местной инструкцией. [25]

Включения с диаметром больше 15 мкм, как это доказано, ухудшают коррозионную стойкость. [26]

Включения второй фазы хорошо обнаруживаются при инфракрасном просвечивании образцов. Этим методом были обнаружены включения в сильно легированном кремнии с примесями алюминия и сурьмы. В кристаллах с А1 эти включения крупнее и выявляются уже в процессе оптической полировки образцов перед травлением. Последующее травление позволяет вскрыть многочисленные мелкие включения. Наиболее четко включения второй фазы в исследованных образцах выявляются при наблюдении в инфракрасном микроскопе. [27]

Включения второй фазы являются крайним случаем неоднородности в объеме монокристалла и характерны для наиболее сильно легированных слитков. Включения второй фазы были обнаружены в монокристаллах кремния, сильно легированных алюминием, сурьмой [77, 75], фосфором [76], галлием [ 781; в монокристаллах германия, легированных мышьяком и галлием [79, 50], и в ряде других материалов. [28]

Включения этой фазы являются опасным дефектом покрытия. Если фаза aTi расположена на границе раздела покрытие-матрица, то это является причиной резкого снижения прочности сцепления покрытия с инструментальным материалом и служит очагом начального разрушения покрытия - Если капли a - Ti расположены на поверхности, то в местах их контакта с обрабатываемым материалом происходит интенсивное схватывание, возникают растягивающие напряжения, которые и являются причиной хрупкого разрушения покрытия. [29]

Включения этих фаз микроскопического и субмикроскопического размеров служат зародышами кристаллизации. Центрами кристаллизации могут служить также различные посторонние включения - продукты металлургических реакций. [30]

Страницы: 1 2 3 4