Упрощенная эквивалентная схема

Cтраница 2

Из упрощенной эквивалентной схемы структуры МДП, справедливой для любых в оговоренном выше смысле частот электрического сигнала и произвольных уровней фотовозбуждения ( рис. 6.2), следует, что в общем случае МДП конденсатор не является чисто реактивным элементом, а представляет собой сложное соединение активных и реактивных сопротивлений. [16]

Составим упрощенную эквивалентную схему применительно к условиям восстановления напряжения на первом рвущем полюсе аппарата, как и в вышерассмотренном случае. [17]

Рассмотрим упрощенную эквивалентную схему усилителя. Наличие реактивных элементов ( рис. 23.21, а) приводит к неодинаковому усилению различных составляющих спектра звуковых частот, что и классифицируется как частотные искажения. Как видно из частотной характеристики K f ( F) ( рис. 23.21, б), на нижних частотах F коэффициент усиления уменьшается, что объясняется увеличением падения напряжения на разделительном конденсаторе Ср, сопротивление которого при F - - FH начинает расти. [18]

Тогда получается упрощенная эквивалентная схема; для. [19]

Практически пользуются упрощенной эквивалентной схемой транзистора для усилительного режима. Сопротивления гээ и гкк настолько малы по сравнению с гэ и гк, что ими обычно пренебрегают. Емкости переходов Сэ и Ск следует учитывать только на высоких частотах, поэтому в упрощенной эквивалентной схеме их тоже не указывают. Генератор тока h2liiK нужен только при инверсном включении транзистора. Если же включение транзистора нормальное и режим работы активный ( усилительный), то вместо диодов в эквивалентной схеме можно показать активные сопротивления гэ и гк. Она широко применяется для расчета и анализа транзисторных схем. [20]

Для этого случая упрощенная эквивалентная схема изображена на рис. 5 - 11 6 и представляет собой систему из двух индуктивно связанных контуров. Один контур ( La Ca) не настраивается, а второй fLCa) настраивается. [21]

Поэтому обычно пользуются упрощенными эквивалентными схемами полупроводниковых структур. Одним из важнейших условий, определяющих целесообразность машинного анализа схем, является наличие численных значений параметров эквивалентных схем для применяемых типов полупроводниковых элементов. При этом, как правило, необходимы не только номинальные значения этих параметров, но и их зависимости от температуры, режима, а также их разброс при серийном изготовлении ИС. [22]

Эпюры напряжений в схеме интегратора ( интегрирование до.| Эквивалентная схема интегратора на параллельном резонансном контуре. [23]

На рис. 10.37 показана упрощенная эквивалентная схема интегратора на параллельном контуре с гашением остаточных колебаний путем шунтирования контура малым сопротивлением. [24]

Интегральный диод. [25]

На рис. 12.32 приведена упрощенная эквивалентная схема интегрального транзистора. [26]

Эквивалентная схема шестирезонаторного электромеханического фильтра.| Внешний вид электромеханических фильтров. а - пластинчатого. б - дискового. [27]

На рис. 101 приведена упрощенная эквивалентная схема шести-резонаторного фильтра. [28]

На рис. 5 представлены упрощенные эквивалентные схемы симметричного ключа в замкнутом и разомкнутом состояниях. [29]

Это позволяет перейти к упрощенной эквивалентной схеме ( фиг. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5