Cтраница 4
Толщина одной прокладки в среднем равна 1 25 мм и одной резиновой обкладки 0 6 мм. [46]
Толщина применяемых при отключении трубопровода заглушек и фланцев должна быть определена расчетом на прочность. Заглушка должна иметь выступающую часть ( хвостик), по которой определяется ее наличие. [47]
Толщина применяемых для отключения котла заглушек должна быть определена расчетом на прочность и иметь выступающую часть ( хвостовик), по которой определяется наличие поставленной заглушки. При установке прокладок между фланцами и заглушкой они должны быть без хвостовиков. [48]
Толщина и материал листов, из которых набран магнитопровод трансформатора, всегда выбираются в зависимости от заданной частоты таким образом, чтобы влияние индуктированных вихревых токов на магнитное поле было пренебрежимо мало. При этом зависимость между мгновенными значениями этих величин Ф - / ( t 0) получается совершенно такой же, как на постоянном токе, когда вихревые токи отсутствуют. [49]
Толщина h клиновидной пластины переменна. [50]
Схема изменения температур в тепловом пограничном слое.| Гидродинамический и тепловой пограничные слои при свободном движении. [51] |
Толщины гидродинамического и теплового пограничного слоев б и k в общем случае не совпадают - это зависит от рода жидкости и формы поверхности. [52]
Конструкция дрены. [53] |
Толщина слоев фильтра и размеры частиц песка и щебня в различных фракциям определяются проектом в зависимости от грунта, в котором прокладывается дренаж. [54]
Толщина каждого слоя битумной эмали должна быть не менее 1 5 мм, я общая толщина двух смежных слоев-3 - 4 мм. [55]
Влияние разви.| Влияние демпфирования якоря. [56] |
Толщина направляющей выбирается конструктивно из условия обеспечения механической прочности. [57]
Толщина этой прослойки определяется условием минимума свободной энергии системы. Обладая определенной прочностью, тонкие пленки препятствуют непосредственному контакту и слипанию частиц. [58]
Толщина d слоя р-я-перехода в полупроводниках составляет примерно 10 - 6 - 10 - 7 м, а контактная разность потенциалов - десятые доли вольт. [59]
Толщина d слоя р-я-перехода в полупроводниках составляет примерно 10 - 6 - 10 - 7 м, а контактная разность потенциалов - десятые доли вольт. [60]