Толщина - насыщение
Cтраница 1
 |
Изменение потока обратного рассеяния бета-излучения / Og в зависимости от толщины покрытия h и основы h. [1] |
Толщина насыщения зависит - от излучателя и природы материала отражателя. [2]
В табл. 19.3 приведены значения толщины насыщения основы различных материалов с учетом источника излучения, в табл. 19.4 - данные о наиболее широко применяемых источниках излучения. [3]
Сравнительно тонкий слой вещества, определяемый как толщина насыщения или максимальная длина пробега. [4]
Максимальная измеряемая толщина ограничена естественным пределом - толщиной насыщения. [5]
Прибор позволяет измерять покрытия на основаниях толщиной меньше толщины насыщения; необходимо учитывать методическую погрешность, вызванную вариацией толщины основания. [6]
 |
Удельная активность отдельных фракций после пиролиза в зависимости от температуры опыта. Время контакта 0 6 сек.. [7] |
В тех редких случаях, когда толщина осадков была ниже толщины насыщения ( 25 мг / см2), вносились соответствующие поправки; величина этих поправок была определена специальными исследованиями. [8]
Коэффициенты обратного рассеяния вычисляют с учетом фона. Толщину насыщения обратного рассеяния dfi, а также коэффициент насыщения обратного рассеяния / н для алюминия определяют по кривой. [9]
Толщиномеры типа Бетамикрометр предназначены для измерения толщины разнообразных гальванических покрытий по обратному р-рассеянию. Принцип их действия основан на зависимо-мости числа обратно рассеянных р-частиц от толщины покрытия, которая должна быть меньше толщины насыщения. [10]
 |
Установка для измерения обратного рассеяния с сцин-тилляционным спектрометром. [11] |
Вначале интенсивность рассеянного излучения возрастает пропорционально увеличению толщины слоя отражающего материала. Но при больших толщинах слоев рост интенсивности уменьшается вследствие увеличения поглощения падающего и рассеянного излучений. Окончательная величина лежит в пределах статистических ошибок и соответствует кажущемуся значению толщины насыщения. [12]
Поток р-частиц, двигаясь в какой-либо среде, меняет начальное направление своего движения. По мере увеличения толщины вероятность движения частицы в обратном направлении возрастает и плотность потока обратно - рассеянного р-излучения увеличивается. Но наряду с этим растет и вероятность потери энергии и поглощения частицы веществом. Поэтому с ростом толщины увеличение потока замедляется и достигает предельного значения, называемого толщиной насыщения ( / н) - Значение толщины насыщения зависит от порядкового номера атомов среды. Для рассеивателей с большим г она мала, при малых z она возрастает. [13]
Этот метод измерения толщины покрытия основан на использовании прибора, в котором радиоактивный изотоп с р-излучением отражает атомы металла покрытия. Интенсивность отраженного потока р-излучения изменяется в зависимости от толщины покрытия и атомного числа металла покрытия, также влияющего на максимальную толщину, которая может быть измерена. Интенсивность потока отраженного излучения измеряется импульсным счетчиком, а затем толщина определяется из графика зависимости интенсивности от толщины. Графическая зависимость является линейной до определенной толщины покрытия, логарифмической на основном уровне толщины и гиперболической, когда достигается толщина насыщения. [14]
Поток р-частиц, двигаясь в какой-либо среде, меняет начальное направление своего движения. По мере увеличения толщины вероятность движения частицы в обратном направлении возрастает и плотность потока обратно - рассеянного р-излучения увеличивается. Но наряду с этим растет и вероятность потери энергии и поглощения частицы веществом. Поэтому с ростом толщины увеличение потока замедляется и достигает предельного значения, называемого толщиной насыщения ( / н) - Значение толщины насыщения зависит от порядкового номера атомов среды. Для рассеивателей с большим г она мала, при малых z она возрастает. [15]
Страницы: 1