Общий характер

Cтраница 1

Общий характер этой зависимости выражается кривой, приведенной на рнс. [1]

Общий характер имеют подзаконные акты, изданные органами общей компетенции либо теми ведомствами, которые наделены правом принимать акты, обязательные для всех лиц, в том числе и тех, которые им прямо не подведомственны. Прежде всего к таким актам относятся постановления Правительства РФ. [2]

Общий характер кинетических кривых изменения давления ( Ар - t) и расхода двуокиси азота ( PNO-О в медленной реакции нитрования метана и пропана представлен соответственно на рис. 1, а и 2, а. Лишь после этого скорость начинает уменьшаться. В ходе медленной реакции не наблюдается ни свечения, ни распространяющегося фронта пламени. [3]

Общий характер нашей программы дает основание представить ее как метод расчета для указанных выше многоступенчатых процессов. [4]

Общий характер такой организации турнира дает читателю представление о том, как выглядит управление турниром в деталях. Пытливому читателю предоставляется право сделать свою реализацию на своей машине. [5]

Входные статические характеристики транзистора, включенного. [6]

Общий характер этих зависимостей определяется р-и-перехо-дом эмиттера, включенным в прямом направлении. Поэтому по внешнему виду входные характеристики похожи на прямые ветви ВАХ диода. [7]

Статические характеристики передачи тока транзистора, включенного по схеме с общей базой. [8]

Общий характер этих зависимостей аналогичен обратной ветви ВАХ диода, так как коллекторный переход включен в обратном направлении. [9]

Статические характеристики обратной связи транзистора, включенного по схеме с общей базой.| Входные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. [10]

Общий характер этих зависимостей аналогичен характеру подобных характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой, так как ток базы является суммой обратного тока коллектора / КБО и рекомбинационной составляющей, которая примерно пропорциональна току эмиттера и представляет собой малую часть тока эмиттера. [11]

Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при пг стоянном токе базы ( б.. / кэ. 1. / кэ. [12]

Общий характер этих зависимостей аналогичен характеру обратной ветви ВАХ диода, так как большая часть напряжения источника питания выходной цепи падает на р-п-переходе коллектора, включенном в обратном направлении. Причины этого явления поясняет рис. 4.18, б, на котором видно, что с увеличением напряжения на коллекторе при постоянном токе базы увеличивается ток эмиттера и соответственно растет ток коллектора. Напомним, что основная составляющая тока базы ( рекомбина-ционная) приблизительно пропорциональна общему числу дырок в базе и, следовательно, пропорциональна площади под кривыми распределения концентрации дырок в базе. [13]

Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, при больших напряжениях на коллекторе.| Статические характеристики передачи тока транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. [14]

Общий характер этих зависимостей свидетельствует о том, что в транзисторе / к / кэо / г21э / Б - В связи с большей зависимостью коэффициента передачи тока базы / 1 - 213 от режима работы транзистора по сравнению с аналогичной зависимостью коэффициента передачи постоянного тока эмиттера характеристики передачи тока в схеме с общим эмиттером отличаются большей нелинейностью. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5