Cтраница 3
Картина изменения потенциальной энергии, изображенная на рис. 326, а, является приближенной. В решетке металла мы имеем периодическое распределение зарядов в виде положительных ионов и окружающих их облаков отрицательного заряда, и поэтому потенциальная энергия периодически изменяется в пространстве. Изображая металл в виде потенциального ящика с гладким дном, мы заменяем периодический потенциал его средним значением, что оказывается, однако, вполне допустимым приближением при рассмотрении явлений электронной эмиссии. [31]
Высокая химическая и электрохимическая активность поверхности после абразивной обработки связана с ее способностью к экзо-электронной эмиссии. Экспериментально доказано [140, 141], что механически обработанная поверхность обнаруживает электронную эмиссию. Еще в большей степени обнаруживают эмиссию измельченные частицы кварца, внедренные в поверхность. Явление электронной эмиссии носит временный характер, поэтому наносить покрытия, в том числе и фосфатные пленки, целесообразно сразу же или не позднее чем через 2 - 3 ч после пескоструйной обработки металла. Тем самым будет ограничиваться также образование на свежеочищенной поверхности слоя окислов, влаги и загрязнений. [32]
Некоторые-примеси оказывают чрезвычайно сильное влияние на величину электронной эмиссии. Вольфрам при незначительной примеси тория ( 1 - 2 / 0) дает испускание электронов, которое во много тысяч раз превышает испускание чистого вольфрама. Такое же увеличение эмиссии вызывается примесями окисей некото -, рых металлов. Ток эмиссии в 150 миллиампер на 1 см2 поверхности накаленного чистого вольфрама получается при температуре примерно 2300 абсолютной шкалы; при накаливании оксидированного вольфрама та же плотность тока эмиссии получается при температуре примерно-1300 К. Подвергнутый специальной обработке тарированный и оксидированный вольфрам имеет широчайшее применение в приборах, основанных на явлении электронной эмиссии. [33]
Прививка даже небольших количеств полиметилметакрилата или полистирола делает поверхность более однородной. Можно предположить, что при обработке в тлеющем разряде в результате бомбардировки поверхности политетрафторэтилена ионами и электронами происходит окисление поверхности пленки с образованием некоторого количества гидроперекисных групп. При нагревании пленки в мономере гидроперекисные группы распадаются с образованием свободных радикалов, которые инициируют процесс привитой полимеризации. Опыты, проведенные со стабилизированными мономерами, показали, что в присутствии гидрохинона реакция прививки не протекает. Помимо этого, известно, что поверхности, обработанные в тлеющем разряде, обнаруживают явления электронной эмиссии. Можно предположить, что наряду с радикальным процессом прививки может идти процесс, стимулируемый центрами эмиссии. [34]
Хорошо известно явление диффракции электронных пучков при их отражении от монокристалла. В электронике волновые свойства электронов приводят к зависимости длины свободного пробега от скорости электрона, к диффракции электронных лучей в электроннооптических приборах и к так называемой холодной эмиссии электронов. Двойственная природа электрона представляет собой одно из диалектических противоречий в современных физических теориях. Эти противоречия служат движущей силой для дальнейшего развития физики и создания в нашем сознании такого представления о внешнем мире, в котором эти противоречия будут сняты. Совокупность движущихся электронов представляет собой не просто пучок движущихся заряженных частиц с массой т и зарядом е и не просто какие-то волны с длиной волны X, а представляет собой новое явление единое в противоположностях. Поэтому, а также в связи с тем, что современная теория атома вышла далеко за пределы классической физики, мы не можем исходить из законов классической физики при детальном количественном подходе к элементарным процессам, рассматриваемым в электронике. В частности, при рассмотрении явлений электронной эмиссии нам придется пользоваться законами квантовой статистики, а количественный учет различного рода взаимодействий между электронами и частицами возможен только путем применения методов квантовой механики. [35]