Интегральный компонент

Cтраница 1

Интегральный компонент определяется Интегральным уровнем безопасности - Safety Integrity Level ( SIL), который задает требуемую меру снижения риска. Проще говоря, чем более ответственным является объект, тем более надежной должна быть система. То есть чем большее снижение риска требуется, тем более объект становится зависимым от самой системы защиты, обеспечивающей это снижение, и соответственно, тем большее значение SIL необходимо для общей безопасности. [1]

Интегральным компонентом гражданской культуры населения индустриальных и постиндустриальных стран является его приверженность демократии. [2]

Температурные свойства интегральных компонентов определяют температурную стабильность основных параметров ОУ. Графики, приведенные на рис. 1.9, показывают взаимосвязь температурного коэффициента сопротивлений ( ТКС) Т1К ( ЛЛ / ДТ) / Л0 и сопротивления базового слоя, в котором они изготовлены. [3]

К особенностям интегральных компонентов, оказывающим влияние на их моделирование, относится прежде всего наличие разнообразных транзисторных структур, наличие существенных паразитных параметров, повышение роли математических соотношений между электрическими и структурными параметрами в связи с трудностями экспериментального определения электрических параметров и тесной взаимосвязью этапов проектирования схем и компонентов. [4]

В регистраторе используются интегральные компоненты и электродвигатели с печатными обмотками. [5]

Паразитные р-п - р и МДП-транзисторы в интегральной структуре. [6]

При проектировании топологии интегральных компонентов необходимо учитывать паразитные эффекты. На рис. 1.13 показан интегральный п-р - п транзистор с паразитным р-п - р транзистором. В случае, если над поверхностью кристалла между базой п-р - п транзистора и / i-изоляцией или любой другой областью р-типа, находящейся в том же изоляционном кармане, будет проходить металлизация, имеющая напряжение, способное создавать инверсию приповерхностного слоя, может образоваться паразитный МДП-транзистор. [7]

Под топологической схемой интегрального компонента ( микросхемы) понимается чертеж, обозначающий взаимное расположение диффузионных областей в плане полупроводниковой подложки. [8]

Следовательно, с возрастанием времени интегральный компонент непрерывно увеличивает момент, но, так как требуется только определенное значение момента, сигнал рассогласования непрерывно уменьшается. В действительности, когда коэффициент усиления интегрального члена становится достаточно большим, тогда сигнал рассогласования сводится к нулю в течение сравнительно малого промежутка времени. [9]

Монтаж аппаратов на рейках. [10]

Релейно-контак-торные аппараты, полупроводниковые приборы и интегральные компоненты устанавливаются следующими способами: на изоляционных плитах; на металлических перфоплитах; на рейках; в блочных конструкциях. [11]

Благодаря этому удается выполнить охемы возбуждения и считывания полностью на интегральных компонентах. Недостатком жгутового ПЗУ, ш к всякого запоминающего устройства со структурой 2D, является большое количество оборудования, применяемого для возбуждения. [12]

Благодаря этому удается выполнить схемы возбуждения и считывания полностью на интегральных компонентах. Недостатком жгутового ПЗУ, как всякого запоминающего устройства со структурой 20, является большое количество оборудования, применяемого для возбуждения. [13]

Базовая схема ( а синхронного элемента И-ИЛИ и временные диаграммы его работы ( б. [14]

И-ИЛИ выполнены функционально как единое целое, благодаря чему уменьшено количество интегральных компонентов в схемах, увеличено их быстродействие, снижена мощность потребления. [15]

Страницы: 1 2 3