Cтраница 3
Физическая оперативная память однокристальных МК, как правило, не покрывает всего пространства внутренней памяти данных из-за нехватки площади кристалла. Так, в приборах ВЕ48 только первые 64 байта покрыты физическим ОЗУ. С усовершенствованием интегральной технологии ожидается увеличение объемов внутреннего физического ОЗУ МК и его постепенное приближение к потенциальному барьеру 256 байт. Например, в однокристальном МК ВЕ49, имеющем такую же базовую архитектуру, что и ВЕ48, объем физического ОЗУ на кристалле увеличен до 128 байт, а в 8050 все пространство в 256 байт покрыто физическим ОЗУ. [31]
Если размещенных на кристалле МК ресурсов оказывается недостаточно для реализации конкретной прикладной системы, они могут быть расширены внешними по отношению к МК средствами. Такое расширение легко выполняется за счет ввода в действие еще не использованных возможностей базовой архитектуры МК. Так, прямо адресуемая программная память может быть доведена до 4К байт, резервом дополнительной памяти данных служит поддерживаемое архитектурой пространство внешнего ОЗУ. На 16 линий может быть увеличена система ВВ. Кроме того, применяя различные способы расширения физических адресов, можно довести объемы внешних физических пространств до требуемого размера сверх норм, предусмотренных базовой архитектурой, без каких-либо ограничений сверху. [32]