Контакт - кристалл
Cтраница 4
Поверхность кристалла германия контактируют с двумя проволочками из фосфористой бронзы, острия которых сближены до нескольких десятков микронов. К одной из этих проволок, которую называют эмиттером ( на рис. 432 проволока 3), подводят усиливаемое на пряжение и сообщают этой проволоке положительный потенциал в несколько вольт. Изменения тока, который проходит от эмиттера через кристалл к металлическому держателю М, вызывают ритмичные изменения сопротивления контакта кристалла со второй проволокой / С, которую называют коллектором. [47]
Подобный характер изменения прочности камня указывает на процессы кристаллизации и перекристаллизации новообразований, в результате которых сцепление между частицами нарушается вследствие возникновения напряжений на контактах кристаллов или растворения кристаллов в напряженных местах. На прочность при сжатии эти процессы в начальный период, видимо, меньше влияют, так как за счет гидратации шлака уплотнение частиц продолжается и в этот период. [48]
Она основана на модели с двумя уровнями и использует приближение Брэгга - Вильямса для анализа поверхностного слоя, контактирующего со второй фазой ( с расплавом) в состоянии равновесия. Предполагается, что система находится при температуре равновесия - при температуре плавления ( в случае контакта кристалла с его расплавом) или близко к температуре плавления ( при контакте кристалла с паром); поэтому вопрос о том, будет ли поверхность шероховатой ( когда она наполовину покрыта адатомами) или гладкой ( с малым числом адатомов) в зависимости от температуры, не исследуется. Шероховатость исследуется в зависимости от скрытой теплоты превращения L и от относительной энергии связи атома с ближайшими соседями в данной плоскости. [49]
При дроблении горных пород и руд, полезный компонент которых не отличается существенно по электрическим и физико-механическим свойствам от вмещающих пород, подобно кристаллам слюды, и не имеют искажающих поле включений, подобно металлическим рудам, главным механизмом, обеспечивающим селективность разрушения, является избирательная направленность роста трещин по границам контакта ( срастания) минералов. Этому могут способствовать как свойственное гетерогенным системам наличие дефектов по границам контакта, так и характер нагружения твердого тела, приводящий к росту трещин. Принципиальное отличие условий нагружения материала в ЭЙ процессе ( импульс давления ударной волны сменяется возникновением тангенциальных разрывных напряжений) от условий нагружения при механическом разрушении ( преобладание напряжений сжатия и сдвига) и создает предпосылки для раскрытия поверхностей контакта кристаллов с вмещающей породой. В условиях разрыва даже минимальные локальные нарушения сплошности и дефекты по границам контакта способствуют раскрытию монокристаллических образований. На образце, приведенном на рис. 5.27, видно как трещина, распространявшаяся в направлении, параллельном оси кристалла, огибает кристалл рубина вдоль его контакта с пустой породой, способствуя полному раскрытию кристаллов рубина. По этим причинам энергетическая оптимизация процесса дезинтеграции увязывается не столько с достижением минимальной энергоемкости, сколько с обеспечением условий для более продолжительного роста трещин при наименьших параметрах волны давления, а это, в свою очередь, обеспечит максимальное раскрытие и сохранность кристаллов драгоценных минералов. [50]
Влияние на слеживаемость модификационных превращений сопряжено с сопутствующими этим переходам изменениями объема вещества. Так как условия хранения продукта периодически меняются, модификационные превращения могут неоднократно повторяться. Изменения объема приводят к разрушению шарообразной формы ( гранул) и дроблению крупных частиц. В результате измельчения продукта увеличивается поверхность контакта кристаллов, а вместе с тем и способность продукта к слеживанию. С уменьшением размера частиц по той или иной причине ускоряется химическое взаимодействие компонентов продукта. Оно также может непосредственно способствовать соединению частиц. [51]
 |
Узел выгрузки суспензии из сгустителя в центрифугу. [52] |
Важным звеном в технологической схеме выделения адипиновой кислоты является ее растворение после центрифугирования перед перекристаллизацией. Растворение проводят в не-прерывнодействующем аппарате при 75 - 80 С и интенсивном перемешивании. Концентрацию адипиновой кислоты в растворе доводят до 20 - 25 вес. Полное растворение кристаллов может быть достигнуто при правильном выборе объема аппарата, который должен обеспечивать не менее чем получасовое время контакта кристаллов с раствором. [53]
В КНЦ РАН выполнены исследования, направленные на разработку технологии разделки слитков ( диаметром 600 - 1000 мм) искусственной слюды-флогопита с использованием электроимпульсного способа разрушения. Определены основные параметров процесса - электрическая прочность слюды в слитках, производительность и энергоемкость разрушения для различного состава и технологического качества продукта. При пробое слюды в блоке средние пробивные градиенты в дециметровом диапазоне составляют 45 - 50 кВ / см; электрическая прочность агрегатов мелкомерной некондиционной слюды несколько выше, чем в блоках кондиционной слюды. Сквозной пробой и нарушение кристаллов слюды при межэлектродных промежутках 90 - 115 мм практически исключается, путь развития канала разряда происходит по местам с минимальной электрической прочностью, какими является мелкокристаллическая связка, места контактов кристаллов или пакетов кристаллов между собой, прослойки воздушных включений и нарушений сплошности в кристаллах. [54]
На второй стадии ( рис. 4.6) обмен протекает в соответствии с кинетикой реакции первого порядка при зависимости от температуры по Аррениусу констант скоростей прямого и обратного процессов ( рис. 4.7), что доказывает энергетическую однородность всех ионов S04 -, которые принимают участие в обмене. Общее число ионов, вступивших в обмен на второй стадии, оказалось равным числу молекул сульфата бария в приповерхностном плотноупакованном монослое граней ( 010) и ( 001), а суммарное число ионов, принявших участие в обмене на первой и второй стадиях - общему числу молекул в слоях S на всех гранях кристаллов. Таким образом, первая и вторая стадии характеризуются участием в обмене приповерхностных монослоев S всех граней, имеющих различную молекулярную конфигурацию. После завершения второй стадия состояние системы не меняется в течение более ста часов контакта кристаллов с раствором. [56]
Страницы: 1 2 3 4