Невыпрямляющий контакт
Cтраница 1
Невыпрямляющий контакт, удовлетворяющий перечисленным требованиям, имеет сравнительно сложную структуру. [1]
Невыпрямляющий контакт у точечного диода выполняется так же, как и у плоскостного. [2]
 |
Некоторые свойства металлов. [3] |
Невыпрямляющие контакты с кремнием образуют золото, серебро, алюминий, хром, никель и некоторые другие металлы. [4]
Невыпрямляющие контакты к германию га-типа обычно выполняются вплавлением чистого олова; иногда для получения слоя п применяют сплав олова с небольшой добавкой сурьмы или мышьяка. [5]
Невыпрямляющие контакты имеют очень большое значение в полупроводниковых приборах и при проведении исследований полупроводников. Основное назначение невыпрямляющих контактов - электрическое соединение полупроводника с металлическими токопроводящими частями полупроводникового прибора. [6]
Невыпрямляющий контакт базы выполняется в виде кольца, окружающего эмиттерный электрод. Размер базового кольца также может влиять на параметры полупроводникового прибора. При работе транзистора в режиме насыщения с коллектора на базу протекает ток инжектированных коллектором носителей тока - так называемый ток перекрытия. В результате сопротивление отпертого транзистора на зажимах эмиттер - коллектор ( сопротивление насыщения) увеличивается. Расчеты и эксперимент показывают, что если диаметр коллектора меньше диаметра базового кольца, то этим эффектом можно пренебрегать. Если же диаметр коллектора равен или, тем более, больше диаметра базового кольца ( коллектор и база перекрываются), то это приводит к значительному возрастанию сопротивления насыщения. [7]
Выпрямляющие и невыпрямляющие контакты на германии получают обычно в среде водорода. Использование газовой среды и высокопроизводительных конвейерных печей позволяет получать хорошие результаты. [8]
 |
Температурный режим сплавления с последующей диффузией из рекристаллизованного. [9] |
Создать невыпрямляющий контакт к этой области практически невозможно. Поэтому при изготовлении сплавно-диффузнонных транзисторов на той поверхности, куда будет проходить вплавление, создается диффузионный соединительный слой того же типа проводимости, что и базовая область. Проводимость соединительного слоя должна быть доста-точно высокой для того, чтобы обеспечить малое входное сопротивление. Ограничение степени легирования соединительного слоя связано только с уменьшением пробивного напряжения эмиттер - база при очень большой поверхностной концентрации примесей в этом слое. [10]
Создать невыпрямляющий контакт малого сопротивления с кремнием труднее, так как на поверхности его всегда имеется прочный слой окиси. Достаточно надежные контакты получают термокомпрессией. При этом методе золотая проволока поджимается к поверхности кремния твердым наконечником, нагретым до температуры 630 К. Под влиянием механического воздействия плотность окисного слоя нарушается, золото с кремнием образует эвтектику, которая после остывания дает прочный и надежный контакт. Невыпрямляющий контакт получается только с иизкоомным дырочным Si, в случае высокоомного дырочного Si в золото необходимо вводить примеси. К электронному кремнию надежные контакты изготовляют электролитическим нанесением слоя никеля. [11]
Получение невыпрямляющих контактов в диффузионных структурах - это задача более сложная. В некоторых случаях для этого используется сплавление, однако при этом надо учитывать, что поверхностные диффузионные слои могут иметь толщину порядка нескольких микрон или даже долей микрона. Поэтому глубина вплав-ления иногда не должна превышать одной-двух десятых микрона. Для нанесения на поверхность полупроводника электродных материалов приходится использовать прецизионное вакуумное напыление, а иногда химическое или гальваническое осаждение. В других случаях для создания невыпрямляющих контактов может использоваться напыление, химическое или гальваническое осаждение металлов без последующего вплавления. При этом может проводиться термическая обработка при температурах, не превосходящих точку появления жидкой фазы в системе полупроводник-нанесенный металл, для улучшения механического сцепления пленки с полупроводником. Если вплавление пленки не производится, то для обеспечения малого переходного сопротивления контакта следует следить за тем, чтобы поверхность полупроводника была легирована достаточно сильно. [12]
 |
Вольтамперная характеристика и основные параметры четырехслойного диода типа р-п-р-п. [13] |
Если осуществить невыпрямляющий контакт с одной из базовых областей четырехслойного диода, то, подавая небольшое положительное смещение на соответствующий эмиттерный переход, можно изменять ток, протекающий в одном из составляющих транзисторов, и тем самым ток через диод и зависимость а от общего тока. Это приведет к изменению напряжения включения и даст возможность управлять параметрами диода, меняя смещение на управляющем электроде. На рис. 4.65 схематически показана такая четырехслойная структура с управляющим электродом. [14]
Для создания невыпрямляющего контакта необходимо, чтобы уровень тока насыщения был много больше протекающего по цепи тока. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5