Cтраница 4
Из этого следует, что необходимое количество вяжущего в значительной степени зависит от давления прессования ( при увеличении давления прессования происходит более плотная упаковка частиц благодаря возникновению сдвиговых усилий и переупаковке частиц), а также от удельной поверхности порошков и их гранулометрического состава. Это объясняет увеличение прочности образцов при увеличении давления прессования или при увеличении гипсового вяжущего в составе сырьевой смеси ( при прочих равных условиях), так как и в том и другом случае увеличивается суммарное поперечное сечение кристаллизационных контактов. [46]
Полученные результаты позволяют дать следующую интерпретацию. В отличие от изучавшихся нами ранее непрочных обратимо разрушающихся коагуля-ционных структур, в которых частицы связаны между собой слабыми ван-дер - 1ваальсовыми силами сцепления через предельно тонкие остаточные прослойки среды, высокая прочность необратимо разрушающихся кристаллизационных структур определяется образованием между отдельными кристалликами прочных кристаллизационных контактов - мест непосредственного срастания. Возникновение таких контактов возможно, если в суспензии в течение достаточно длительного времени поддерживается определенное пересыщение. По этой же причине в суспензиях р-полуводного гипса, в водной фазе которых пересыщения падают быстрее, чем в суспензиях а-полугидрата, способность к образованию кристаллизационных контактов теряется при более высоких пересыщениях. [47]
Формирование кристаллизационных контактов обусловлено двумерной миграцией молекул подвижных адсорбционных слоев. Диффундируя в соответствии с принципом минимума энергии в зазор между частицами гидрата, находящимися на расстоянии ближней коагуляции, молекулы или молекулярные пары подвижных адсорбционных слоев контактируемых частиц образуют устойчивые перемычки, которые при содействии механизма химической сшивки, по М. М. Сычеву, формируют кристаллизационный контакт. Образовавшиеся таким образом зародыши представляют кристаллическую перемычку между отдельными кристалликами, а все кристаллики, связанные друг с другом такими перемычками, в совокупности образуют пространственную кристаллизационную структуру. [48]
Кристаллизационные контакты, представляющие собой места непосредственного срастания кристалликов новообразований, неизбежно должны обладать искаженной, деформированной кристаллической решеткой, так jcaac - ови - соединяют - фиеталды-имеющие-совершенно беспорядочную ориентацию. Поэтому контакты срастания должны обладать избытком свободной энергии, а следовательно, и повышенной растворимостью по сравнению с правильно сформированными, ненапряженными кристаллами. Следовательно, кристаллизационные контакты не могут находиться в равновесии с правильно сформированными и не слишком мелкими кристаллами дигидрата. Поэтому при влажных условиях хранения в структуре твердения идут процессы перекристаллизации, сводящиеся к растворению контактов и росту свободно образованных кристалликов. Эти процессы сопровождаются необратимым падением прочности кристаллизационной структуры и являются истинной причиной неводостойкости гипсовых изделий, которую обычно неправильно приписывают только высокой растворимости гипса. [49]
Физико-химические основы разработки заключаются в следующем. Известно [130], что прочность структур, образующихся в процессе гидратации вяжущих, определяется, прежде всего, прочностью контактов между частицами твердой фазы. Наиболее прочными являются кристаллизационные контакты, или контакты срастания. [50]
В этом случае тоже важно уменьшить эти напряжения. Прочность катализаторов зависит и от сил сцепления его активных компонентов с носителем. Носители должны обладать кристаллизационными контактами между частицами и быть инертными к реакционной среде. [51]
Существенно влияет на прочность удобрений термообработка. В процессе подсушки при температуре 75 С в течение 1 ч прочность таблеток возрастает. Это подтверждает, что в гранулированных удобрениях преобладают кристаллизационные контакты, при увеличении числа которых повышается прочность таблеток. [52]
Снижение пересыщения вследствие выделения новой фазы компенсируется растворением новых порций полугидрата, так что кристаллики двуводного гипса образуются и растут в условиях поддерживающегося пересыщения раствора. Величина пересыщения и продолжительность его существования зависят от соотношения скорости поступления вещества в раствор за счет растворения полуводного гипса ( очевидно, этому способствует высокая дисперсность исходного вяжущего) и скорости увода вещества из раствора вследствие кристаллизации двуводного гипса. Наличие в растворе достаточно высокого пересыщения обусловливает возникновение зародышей кристаллизационных контактов между кристалликами двуводного гипса в местах их соприкосновения. [53]