Cтраница 1
Схема контроля методом электропотенциала внутренних дефектов в роторах турбин. [1] |
Контроль дефектов в роторе проводится в процессе изготовления, монтажа или ремонта. Ротор устанавливают в своих опорах или подшипниках балансировочного станка на изолирующих прокладках. Токосъемные устройства устанавливают по нижней образующей ротора, где раскрытие дефекта максимально. [2]
Контроль дефектов магнитной суспензией проводят в приложенном магнитном поле или при остаточном намагничивании детали. [3]
Контроль дефектов магнитной суспензией проводят, в приложенном магнитном поле или при остаточном намагничивании детали. [4]
Контроль дефектов макроструктуры выполняется неразрушающими и разрушающими методами. Внешним осмотром можно выявить поверхностные трещины и места возможных непроваров, где отсутствует грат. [5]
Контроль дефектов материалов, равно как и контроль исходных продуктов, имеет следующие особенности. [6]
Контроль дефектов формы пластины и кристаллов проводят и на промежуточных операциях, и после окончательной обработки прибора. [7]
Допускаемое радиальное биение зубьев фрез. [8] |
Контроль дефектов поверхностного слоя осуществляется визуально или с помощью лупы; шероховатость поверхности - с помощью двойного микроскопа или цеховых средств контроля. [9]
Контроль дефектов линейной части трубопроводов заключается в проверке соответствия показателей структурных элементов трубопровода установленным нормативно-техническим требованиям. [10]
Схемы согласованной оптической фильтрации. [11] |
Для контроля дефектов участков изделий, находящихся в труднодоступных местах, перспективен метод голографической эндоскопии. В отличие от традиционных способов эндоскопии с помощью волоконно-оптических элементов ( ВОЭ) здесь появляется возможность получения объемных изображений полостей изделий при углах обзора, близких к предельным. Для систем голографической эндоскопии разработаны специальные ВОЭ, обеспечивающие малые потери лазерного излучения и сохранение его когерентности. Накачка ВОЭ производится при этом с помощью одиночных импульсных ламп, а объект освещается лазерным светом с длиной волны, соответствующей резонансной частоте световодов. [12]
Процесс контроля дефектов на данной установке производится следующим образом. Поток инфракрасного излучения формируется излучателем и направляется на изделие. Спектр излучаемого сигнала зависит от типа ИК-источника, оптических свойств исследуемого материала, толщины изделия и ряда других факторов. Однако учитывая, что многие виды пластмасс и стеклопластиков имеют окна прозрачности на различных длинах волн, более целесообразно использовать источники с широким спектром излучения. Еще одним важным требованием, предъявляемым к ИК-источникам, является обеспечение постоянной интенсивности излучения. Яркость светового сигнала пропорциональна интенсивности прошедшего через изделие излучения. [13]
Для контроля дефектов в сложных, ответ, ственных деталях необходимо применение, как правило, нескольких методов. [14]
Оптическая схема интроскопа. [15] |