Концентрация - электрон - проводимость
Cтраница 1
Концентрация электронов проводимости п не изменяется и при отсутствии теплового движения. [1]
Концентрация электронов проводимости в металлах, определенная из значения постоянной Холла, имеет порядок 1028 м - 3 и оказывается близкой к концентрации атомов. [2]
 |
Температурная зависимость уровня химического потенциала в электронном полупроводнике.| Температурная зависимость уровня химического потенциала в дырочном полупроводнике. [3] |
Концентрация электронов проводимости в этом интервале температур будет оставаться постоянной, что соответствует горизонтальному участку с - Ъ на рис. 11 ( стр. [4]
Концентрация электронов проводимости ( которые и осуществляют связь в металлическом кристалле) колеблется в тех же пределах. Это означает, что в среднем в образовании металлической связи участвуют по одному электрону от каждого атома. [5]
Концентрация электронов проводимости здесь не играет большой роли. Это намного превышает отношение с / а 1 633 решетки типа ПГУ, состоящей из шарообразных атомов. Можно думать, что падение электропроводности в перечисленных выше процессах плавления в основном вызвано резким возрастанием концентрации дефектов. [6]
Концентрация электронов проводимости п не изменяется и при отсутствии теплового движения. [7]
Удиэлектриков концентрация электронов проводимости при комнатной температуре на много порядков ниже, чем у металлов. И хотя с температурой концентрация, а с нею и электропроводность, быстро растет, абсолютные значения последней в области умеренно высоких температур еще очень малы. Диэлектрики скорее пригодны в этих интервалах температур к роли пассивных элементов схем в отличие от полупроводников, из которых создаются активные элементы. [8]
Поэтому концентрация электронов проводимости в металле почти пе зависит от температуры, и зависимость электрической проводимости металла от температуры обусловлена изменением подвижности электронов. Средняя длина свободного пробега электрона уменьшается при повышении температуры вследствие увеличения амплитуды тепловых колебаний решетки, а также при наличии дефектов и примесей, нарушающих упорядоченность кристаллической решетки. С уменьшением длины свободного пробега снижается подвижность носителей заряда, поэтому с увеличением температуры электрическая проводимость металлов падает. [9]
Тч концентрация электронов проводимости будет практически постоянной, а значение электропроводности даже начнет уменьшаться вследствие увеличения рассеяния электронов на колебаниях решетки. [10]
Изменение концентрации электронов проводимости ведет к значительному изменению фермиевской энергии электронов. В связи с этим можно ожидать изменения парциальной молярной свободной энергии или активности растворенного металла, если концентрация электронов проводимости изменяется при добавлении других легирующих элементов. [11]
У диэлектриков концентрация электронов проводимости при комнатной температуре на много порядков ниже, чем у металлов. И хотя с температурой концентрация, а с нею и электропроводность быстро растет, абсолютные значения последней в области умеренно высоких температур еще очень малы. Диэлектрики скорее пригодны в этих интервалах температур к роли пассивных элементов схем, в отличие от полупроводников, из которых создаются активные элементы. [12]
В полупроводниках концентрация электронов проводимости при комнатной температуре значительно меньше, чем у металлов, а число появляющихся под действием света фотоэлектронов относительно велико; так, например, при соответствующем освещении это число в CdS на четыре порядка превышает число темновых электронов проводимости. В других же менее фоточувствительных веществах число фотоэлектронов даже при не слишком интенсивном освещении достигает 20 - 30 % от общего числа электронов проводимости. Естественно, что уже одно это свойство некоторых полупроводников делает их крайне необходимыми материалами. [13]
Следовательно, концентрация электронов проводимости в полупроводниках типа п с донорной примесью является суммой концентрации электронов, перешедших с локальных уровней в зону проводимости, и электронов валентной зоны, перешедших в зону проводимости. Запрещенная зона между валентной зоной и зоной проводимости значительно больше запрещенной зоны между локальными уровнями и зоной проводимости, поэтому концентрация электронов, поступивших в зону проводимости с локальных уровней, значительно больше концентрации электронов, перешедших в зону проводимости из валентной зоны. [14]
В полупроводниках концентрация электронов проводимости резко возрастает с повышением температуры ( гл. [15]
Страницы: 1 2 3 4