Атом - второе - слой
Cтраница 1
Атом второго слоя, связанный двойной связью, учитывается дважды. [1]
 |
Сольватация растворителем, состоящим из небольших ( а и больших ( б молекул. [2] |
Следовательно, атомы второго слоя отстоят от молекулы растворенного вещества уже не на ван-дер-ваальсово расстояние, как было в случае сольватации водой, а лишь на длину ковалентной связи, которая значительно меньше суммы ван-дер-ваальсовых радиусов ( см. табл. 2.2, гл. Это значит, что второй слой атомов будет активнее участвовать в дисперсионных взаимодействиях с растворенным веществом. [3]
На рис. 2 - 5 стрелками показаны смещения атомов второго слоя по направлению к выступающим атомам первого слоя с оборванной связью. Пунктиром длительного отжига при ограничена базовая ячейка. [4]
Для определения последовательности старшинства заместителей в глицериновом альдегиде необходимо привлекать атомы второго слоя, так как в двух функциональных группах - альдегидной и первичноспиртовой - с центром хиральности связан атом углерода. [5]
В группах СНО и СН2ОН атомы первого слоя одинаковы, и для решения вопроса о старшинстве этих групп привлекают атомы второго слоя. Согласно Кану, Прелогу и Инголду, связанные двойной связью атомы считают за два атома. [6]
Особый интерес для специально рассматриваемого нами вопроса о подвижности атомов на гранях собственной решетки представляют данные о поведении атомов цезия, связанных во втором диффузном слое, находящемся на первом слое атомов цезия, почти или полностью покрывающих вольфрам. Теплота испарения атомов второго слоя существенно меньше: она составляет всего А. При сравнении этих чисел следует остерегаться ошибочного заключения о том, что здесь связь слабее, чем на чистой цезиевой подкладке. Правильную картину получают, если для сравнения используют не теплоту испарения цезия, а энергию отрыва атома цезия от грани ( 011) кристалла цезия. Эта величина приблизительно равна ЛТВерд / 2 11 500 кал, что значительно ниже 17600 кал. Отсюда следует, что вольфрамовая основа благоприятствует связи атомов во втором слое. [7]
Тогда можно оценить изменение энергии, используя силовые постоянные, рассчитанные в приближении валентных сил и обсуждавшиеся в гл. Для простоты закрепим атомы второго слоя в их первоначальных положениях, а поверхностные атомы сместим в Направлении, перпендикулярном поверхности. Аналогично убеждаемся, что угол поворота каждой из этих связей равен ( 8 / 9) 1 / 2и / 1 Если сместить только один поверхностный атом, то на этот угол поворачивается каждая из трех связей, направленных внутрь к трем его ближайшим соседям, в то время как остальные три связи каждого из этих соседей остаются неподвижными. Отсюда видно, что изменение энергии, обусловленное изменением углов между связями, исходящими от любого из трех указанных соседей, ( равно 2С ] ( м / с. Эта энергия уменьшится, если мы поочередно сместим поверхностные атомы внутрь и наружу. Однако этой поправкой мы можем пренебречь, так как величина 2Ci ( w / d) 2 / 3 в любом случае мала. Мы должны также прибавить энергию, обусловленную изменением углов трех связей, имеющих вершину на поверхностном атоме. [8]
По мере повышения температуры кристалла возрастают флюктуации кинетической энергии поверхностных атомов и некоторые из них достигают значения, при котором любой поверхностный атом может оставить свой узел и переместиться в другую позицию на поверхности. Время от времени перед некоторым атомом второго слоя узлов решетки обнаруживается пустой узел в первом слое. В результате следующей, достаточно большой флюктуации атом из второго слоя может перескочить в первый, оставляя вакантным узел во втором. Дефект, который так образовался, будет свободно блуждать по кристаллу, и его соседи могут тогда перескакивать в пустой узел. Отметим, что те места, где на поверхность выходят дислокации или границы зерен, энергетически предпочтительнее для указанной последовательности событий. [9]
В аморфных твердых телах ближайшие соседние атомы располагаются в определенном порядке на определенных расстояниях, зависящих от строения атомов и характера возникающих между ними связей. Если рассматривать некоторый из атомов как центральный, то атомы ближайшего к нему слоя расположатся в определенном порядке по отношению к этому центральному. Атомы второго слоя будут располагаться в определенном порядке и на определенных расстояниях от атомов первого слоя, но их порядок относительно центрального атома уже несколько нарушается. [10]
Кривые сравнивались с расчетами 20-и различных моделей структуры поверхности CdTe ( llO), выполненными согласно описанной выше стратегии поиска в 11-мерном пространстве параметров. На рис. 3.20 ( с) результаты представлены также в виде контурной карты значений Л - фактора, где положение самого глубокого минимума Д - фактора соответствует точке, где эксперимент наилучшим образом согласуется с теорией. Даже атомы второго слоя сдвинуты относительно своего объемного положения примерно на 1 % объемной константы решетки. [11]
В структурном анализе имеет значение вопрос о различных плотных упаковках твердых шаров одинакового диаметра. Второй горизонтальный слой шаров, плотно уложенный на первый, тоже образует сетку таких же равносторонних треугольников. Третий горизонтальный слой шаров может быть уложен различно, как это показывает рис. 9, где - атомы первого слоя, О - атомы второго слоя и - - - - атомы третьего слоя. На рис. 9, а центры атомов третьего слоя расположены над центрами атомов первого слоя. [12]
Плоскость ( 111) Ge и Si особенно важна в адсорбционных исследованиях, поскольку она является плоскостью спайности. Исследования поверхностей, полученных расколом кристаллов Ge и Si при комнатной температуре, методом ДМЭ, казалось бы, показывают некоторое смещение поверхности [6], однако пока еще нет разумной модели структуры поверхности, способной объяснить эти данные. Структура, предложенная Ландером и др. [7] ( нечто промежуточное между смещенной и перестроенной поверхностями), согласно которой поверхностные атомы Si ( или Ge) связаны друг с другом двойной связью, а атомы второго слоя - одинарной, кажется несколько странной, однако легко может быть проверена расчетами энергии деформации связей. [13]
Страницы: 1