Высоковозбужденный атом

Cтраница 2

В настоящее время методами радиоастрономии в спектре космического излучения обнаружено и исследуется большое ко личество спектральных линий различных атомов и молекул. Высоковозбужденные атомы образуются в космическом пространстве в резуль тате рекомбинации ионов и электронов. В них при последующих каскадных переходах, когда захваченный электрон как по ступенькам перепрыгивает вниз, происходит испускание квантов в радиодиапазоне. Поскольку уровни с высокими п заселяются в основном при рекомбинации, а излучаемые при переходах спек тральные линии приходятся на радиодиапазон, то они получили название рекомбинационные радиолинии. [16]

Передача возбуждения с участием высоковозбужденного атома может протекать по двум каналам. В одном из них возбуждение передается за счет диполь-дипольного взаимодействия. [17]

При этом обратный процесс - автоионизация - в значительной степени гасится быстрым перемешиванием по I ( I - квантовое число орбитального углового момента) за счет соударений. При I 10 автоионизация маловероятна и высоковозбужденный атом стабилизируется. [18]

Если, например, п10, то напряженность поля оказывается в пределах достижимых значений. В экспериментах действительно удается наблюдать ионизацию электрическим полем высоковозбужденных атомов водорода. [19]

До обнаружения радиолиний углерода в метровом и дека-метровом диапазонах считалось, что предел в образовании высоковозбужденных атомов определяется соударениями с электронами, т.е. электронной плотностью. При таких плотностях соударения с электронами устанавливают предел образования высоковозбужденных атомов и излучения ими РРЛ при п более тысячи. Воздействие нейтральных частиц оказывается еще более слабым. В результате при п - 1000 сечения взаимодействия атомов с нейтральными частицами почти на 10 порядков меньше сечений взаимодействия с электронами. [20]

Первые наблюдения ширин РРЛ AI / в зависимости от квантового числа п в туманности Омега. прямая линия - чисто доплеровское уширение с AI / / I / 1 2 - 1СР4. штриховая кривая - расчетные значения ожидаемых. [21]

По этой причине чувствительность электрона к внешним электрическим полям должна неизбежно увеличиваться, проявляясь в штарковском уширении. Этого, однако, не наблюдалось и оставалось предположить, что высоковозбужденные атомы обладают каким-то новым свойством, которое не проявляет себя при меньших уровнях возбуждения. [22]

В монографии обобщены результаты исследования РРЛ, подтверждающие тесную связь физики и астрономии. Рассмотрены процессы, определяющие ширину и интенсивность РРЛ, и основные закономерности физики высоковозбужденных атомов. Объяснены причины того, что уровни возбуждения порядка 1000 являются предельными для атомов в Галактике. [23]

Разрез поверхности потенциальной энергии электрона, находящегося в поле. [24]

При данных условиях связанный электрон, который совершает переход из поля одного иона в поле другого, можно считать классическим. Тогда, если скорость сближения ядер v много меньше характерной скорости электрона на атомной орбите, которая порядка / / ( где J - потенциал ионизации высоковозбужденного атома), то безбарьерный переход электрона от одного иона к другому может произойти, если расстояние наибольшего сближения ядер меньше R0 3 / J. [25]

Обнаружено, что если энергия возбуждения заметно превышает потенциал ионизации молекулы, то сечение ионизации примерно равно газокинетическому сечению. Масс-спектр ионов, образующихся при этом, напоминает масс-спектр электронного удара при энергиях электронов, близких к энергии возбуждения метастабильного уровня. Высоковозбужденные атомы, как показано в работе [991], могут ионизироваться с очень большим сечением при столкновениях с нейтральными частицами. [26]

Рассмотренная выше схема рекомбинации с образованием связанного состояния в результате однократного межэлектронного столкновения вблизи иона является весьма приближенной. Более точное решение задачи о рекомбинации невозможно без привлечения аппарата кинетики. Высоковозбужденный атом, образованный в результате единичного акта рекомбинации, может испытывать переходы как в менее, так и в более возбужденные ( вплоть-до ионизации) состояния под действием столкновений. В этом атоме могут происходить и радиационные переходы, обусловленные излучением и поглощением. При учете последних существенна оптическая толщина плазмы. Качественно этот процесс напоминает диффузию в пространстве по направлению к поглощающей стенке, которой здесь является трудноионизуемое ( при ГеС /) основное состояние атома. [27]

Рассмотрим коллективное воздействие заряженных частиц на атомные электроны. С увеличением главного квантового числа коллективные переменные поля окружающих зарядов оказывают на высоковозбужденные атомы все большее влияние. Мерой воздействия на атомный электрон является степень его раскачивания под действием коллективного поля, максимальная в случае резонанса. [28]

Страницы: 1 2