Дислоцированный атом

Cтраница 3

Точно так же на границе может возникнуть дислоцированный атом в результате перехода из поверхностного слоя в междоузлие между первым и вторым слоем. Источники вакансий могут действовать и как стоки для них. Другими словами, вакансии могут перейти из твердого тела в пору, на границу или исчезнуть, что приведет к уменьшению объема тела. Для образования вакансии необходимо затратить определенную энергию. При высокой температуре кинетической тепловой энергии достаточно, чтобы состояние с вакансиями осуществилось / Пусть энергия образования 1 г-атом вакансий равна U. [31]

В результате этого вокруг вакансии или вокруг дислоцированного атома возникает поле упругих искажений кристаллической решетки. [32]

В то же время дислокации, вакансии, дислоцированные атомы, а также растворенные атомы примесей уменьшают электропроводность. Соответственно с самого начала действия циклической нагрузки, вследствие повышения плотности дислокаций, наблюдается интенсивное понижение электропроводности, которое продолжается и в период образования дислокационных скоплений критической плотности. [33]

Атом, расположенный в междуузлии решетки, называется дислоцированным атомом ( фиг. Для атомов вокруг вакансии или дислоцированного атома нарушается равномерность окружения атомами-соседями по сравнению с бездефектными участками решетки ( см. фиг. В результате этого вокруг вакансии или вокруг дислоцированного атома возникает поле упругих искажений кристаллической решетки. [34]

Атом, расположенный в междоузлии решетки, называется дислоцированным атомом ( рис. 231), а узел в кристаллической решетке, не занятый атомом, называется, как уже говорилось в гл. В результате этого вокруг вакансии или вокруг дислоцированного атома возникает поле упругих искажений кристаллической решетки. [35]

Атом, расположенный в междоузлии решетки, называется дислоцированным атомом ( рис. 258), а узел в кристаллической решетке, не занятый атомом, называется, как уже говорилось в гл. [36]

Точечные дефекты в кристаллической решетке. А - вакансия. Б - примесный атом в положении замещения ( дефект замещения. В - примесный атом в положении внедрения ( дефект внедрения. [37]

К ним относятся вакансии, атомы в междоузлиях ( дислоцированные атомы), примесные атомы, а также нек-рые их комбинации ( напр. Один из видов точечных дефектов - пары Френкеля, возникающие при переходе атома из узла решетки в междоузлие, достаточно удаленное от образовавшейся вакансии. В результате получается пара дислоцированный атом - вакансия, каждая составляющая к-рой может перемещаться в объеме кристалла. Другая возможность образования вакансий в кристалле ( дефекта Шотки) заключается в перемещении атома из норм, положения в узле кристаллической решетки на поверхность кристалла. Точечные дефекты являются центрами расширения и сжатия решетки кристалла. Примесные атомы могут либо замещать атомы осн. [38]

Зависимость количества водорода, выделяющегося из электролитического осадка, от температуры. [39]

Следует отметить, что, по Френкелю [25], дислоцированные атомы движутся по междуузлиям кристаллической решетки до тех пор, пока они не достигнут поверхности металла, дырки же движутся по узлам к поверхности. Следовательно, из теории Френкеля вытекает, что атомы могут перемещаться как по узлам, так и по пустотам. Однако вероятность одновременного обмена двух атомов, когда один пересаживается на место другого, очень мала. Кинетическая теория твердого тела дает возможность наглядно показать влияние температуры и природы металлов на механизм диффузии атомов через кристаллическую решетку. [40]

При полном отсутствии дырок процесс перемешивания атомов через посредство дислоцированных атомов протекал бы с очень малой скоростью, зависящей от размеров кристалла, так что и коэффициент диффузии, обусловленный этим механизмом, оказался бы функцией этих размеров, что находится в противоречии с опытными данными. Мы можем поэтому оставить в стороне поверхностные эффекты и ограничиться рассмотрением того случая, когда пересадка какого-либо атома кристалла из одного узла решетки в другой осуществляется путем срыва его из первого узла, ряда перемещений по междоузлиям и, наконец, рекомбинации с какой-либо дыркой. [41]

Скорость диффузии зависит от концентрации точечных дефектов ( вакансий и дислоцированных атомов) и температуры. Проявление того или иного процесса зависит от времени контактирования, а значит и от vc, и скорости диффузионного потока, что определяется степенью активизации и температурой. [42]

Схема последовательных / - V НИЯ, обеСПеЧИВЗЯ ПрОГрвССИВНуЮ стадий действия источника Франка-Рида дефорМЗЦИЮ ббЗ ЗНЗЧИТеЛЬНОГО. [43]

Дислокации, движущиеся в деформированном металле, порождают большое количество дислоцированных атомов и вакансий. [44]

Кроме дырочного механизма возможны и такие диффузионные процессы - перемещение дислоцированного атома из одного междуузлия в другие ( пока он не попадет в дырку и успокоится) или - два соседних атома взаимно меняются местами. Дырочный механизм наиболее легко осуществим. Расчеты относительно самодиффузии меди дают следующие значения энергии активации процессов: для дырочного механизма - 64 ккал / Г - ат, перемещение дислоцированного атома - 230 ккал / Г - ат и при обменном механизме - 400 ккал / Г - ат. Столь большая численная разница в энергии активации приводит к тому, что диффузия реально протекает лишь путем дырочного механизма; удельное значение других способов перемещения ничтожно мало. [45]

Страницы: 1 2 3 4