Примесный атом - замещение
Cтраница 1
 |
Винтовая дислокация, возникшая в результате сдвига. [1] |
Примесные атомы замещения ( рис. 1.15) представляют собой сумму двух дефектов: вакансии и атома примеси. Такой дефект может образоваться при захвате примеси в процессе кристаллизации или при совместной диффузии вакансии и атома примеси. [2]
Примесные атомы замещения заменяют атомы данного вещества В УЗЛАХ кристаллической решетки. [3]
Таким образом, примесные атомы замещения в валентных решетках с большой диэлектрической постоянной становятся донорами, если число нх валентных электронов больше валентности атомов решетки, и акцепторами, если их валентность меньше валентности основных атомов. В противоположность примесям внедрения здесь электроположительные примеси - акцепторы, а электроотрицательные - доноры. [4]
Очевидно, что примесные атомы замещения будут располагаться вблизи ядра дислокации ( на конце экстраплоскости), а атомы внедрения - в междоузлии над экстраплоскостью. [5]
Предполагая, что механизм диффузии примесных атомов замещения не отличается от рассмотренного в разд. [6]
 |
Точечные дефекты в кристаллах. [7] |
Существует четыре основные типа точечных дефектов - вакансии, примесные атомы замещения и внедрения, дислоцированные атомы, дефекты Френкеля. Вакансии ( рис. 2.1, а) являются наиболее часто встречающимися точечными дефектами и представляют собой свободные узлы в кристаллической решетке. [8]
С а, относятся вакансии, межузель-пьи атомы, примесные атомы замещения и внедрения ( в разбавленных твердых растворах) и их мелкие скопления. [9]
 |
Точечные дефекты в кристаллах. [10] |
Существует четыре основные типа точечных дефектов - вакансии, примесные атомы замещения и внедрения, дислоцированные атомы, дефекты Френкеля. Вакансии ( рис. 2.1, а) являются наиболее часто встречающимися точечными дефектами и представляют собой свободные узлы в кристаллической решетке. [11]
Высокая насыщенность металла и особенно границ зерен вакансиями способствует активной миграции не только примесных атомов замещения, но и атомов внедрения. Следовательно, с помощью такого механизма в околошовной зоне будет облегчаться миграция вместе с границами не только атомов титана, ниобия, хрома, но и атомов углерода. [12]
В полупроводниковых соединениях, например AUIBV ( InSb, GaSb, InAs), обычно примесные атомы замещения II группы ( Mg, Zn), имеющие меньшую валентность, являются акцепторами, а примесные атомы VI группы ( Se, Те), обладающие большей валентностью, - донорами. Примесные атомы IV группы в полупроводниковых соединениях AI ( IBV могут быть и донорами и акцепторами, в зависимости от того, какой атом соединения замещается примесным атомом. Если, например, примесный четырехвалентный атом замещает в решетке InAs трехвалентный атом In, то он будет донором, а если пятивалентный атом As, то - акцептором. Соотношения между размерами атомов играют большую роль в результатах замещения. Так, например, если примесный атом РЬ, имеющий сравнительно большие размеры, замещает в решетке InSb атом In, то он ведет себя как донор, а попадая в решетку AlSb и занимая место атома Sb, он является акцептором. [13]
В полупроводниковых соединениях, например AIUBV ( InSb, GaSb, InAs), обычно примесные атомы замещения II группы ( Mg, Zn), имеющие меньшую валентность, являются акцепторами, а примесные атомы VI группы ( Se, Те), обладающие большей валентностью, - донорами. Примесные атомы IV группы в полупроводниковых соединениях AH1BV могут быть и донорами и акцепторами, в зависимости от того, какой атом соединения замещается примесным атомом. Если, например, примесный четырехвалентный атом замещает в решетке InAs трехвалентный атом In, то он будет донором, а если пятивалентный атом As, то - акцептором. Соотношения между размерами атомов играют большую роль в результатах замещения. Так, например, если примесный атом РЬ, имеющий сравнительно большие размеры, замещает в решетке InSb атом In, то он ведет себя как донор, а попадая в решетку AlSb и занимая место атома Sb, он является акцептором. Замещение элементов, входящих в состав полупроводниковых соединений, другими из тех же групп периодической системы ( III и V) не вызывает заметного изменения удельной проводимости этих полупроводников. [14]
Было четко показано [182], что если средняя концентрация валентных электронов на атом изменяется путем добавления примесных атомов замещения другой валентности, то периодичность сверхструктуры с длинным периодом изменяется таким образом, что энергия электронов на поверхности Ферми принимает минимальное значение. [15]
Страницы: 1 2