Кривая

Cтраница 3

Кривая на рис. 19.21 имеет резко выраженный максимум, приходящийся на расстояние Re 0 77 Ф, которое называется электрическим радиусом протона. [31]

Кривая такого процесса - адиабата. [32]

Кривая пойдет так же, только возрастет сила фототока насыщения. Увеличим еще световой поток до Ф2 - соответственно увеличится сила фототока насыщения. [33]

Выход влажной соли в зависимости от состава маточного раствора.| Вторая диаграмма к задаче № 22.| Третья диаграмма к задаче № 22. [34]

Кривая 7 - 8 отображает состав пульпы кристаллизаторов. [35]

Характеристика холостого хода генератора независимого возбуждения. [36]

Кривая / соответствует вращению якоря машины с номинальной скоростью пн, указанной в паспорте генератора. Для всех машин нормального типа точка номинального напряжения ( точка А) находится на перегибе магнитной характеристики, что соответствует наиболее удачным рабочим и регулировочным свойствам генератора. [37]

Кривая / представляет собой внешнюю характеристику, снятую на понижение напряжения. Для снятия этой характеристики устанавливается такой ток в обмотке возбуждения, чтобы при холостом ходе генератора напряжение на его зажимах было равно номинальному. Затем нагрузка генератора возрастает при неизменном токе в обмотке возбуждения. [38]

Кривая ( рис. 177) показывает, как изменяется сила анодного ока при изменении величины анодного напряжения и неизменной: иле тока накала нити. [39]

Восстановительные потенциалы хннонов апенового ряда. [40]

Кривая на рис. 29 показывает, что потенциалы быстро падают с аннеллированием и скоро становятся отрицательными. [41]

Распределение по глубине слоя относительного количества по-глощенных электронов & N / N, выраженного в процентах, и относительной потери энергии в каждом элементарном слое & U / Ua, также выраженный в процентах, цля первичных электронов, рассеянных в обратном направлении ( К, поглощенных в фольге ( А и прошедших ( D. [42]

Кривая Д / V / A / o имеет максимум на расстоянии, равном 2 / 3 от Re. Это означает, что на такой глубине имеет место максимальное поглощение электронов и наибольшее их ионизирующее действие. [43]

Кривые, для которых выполнимо это условие, называют симметричными относительно оси абсцисс. [44]

Кривая 1 ( рис. 23, а) соответствует гипотетическому случаю, когда разделяющий агент образует с одним из компонентов заданной смеси идеальную систему, а с другим не смешивается. Кривая 2 отвечает сочетанию идеальной и регулярной систем, кривые 3 и 3 - регулярной с бесконечно малой взаимной растворимостью компонентов, а кривые 4 и 4 - двум регулярным системам с различной степенью неидеальности. Для систем с огра-нич енной взаимной растворимостью компонентов возможно множество вариантов с различными границами расслаивания. Результаты расчетов для нескольких характерных случаев представлены на рис. 23, бив. Как видно, получаются различные зависимости lgap / af ( xp) для систем разных типов. Если один или оба компонента образуют с разделяющим агентом расслаивающуюся систему ( рис. 23 6 и в), эта зависимость имеет характерный S-образ-ный ход. В этих случаях в области средних концентраций разделяющего агента его селективность изменяется мало, а в области больших концентраций - резко возрастает. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5