Cтраница 3
К определению сечения захвата фотона, а, о2, а3 - углы, по тангенсам которых определяется q. [31] |
Практически определение величины сечения захвата фотона электроном на примесном центре в самом общем случае можно произвести по кривым релаксации следующим образом. [32]
Электрический сигнал с тензометрического моста подается на вход микровольтметра 8, сигнал с которого поступает на электронный автоматический потенциометр 9; на этом потенциометре записывается кривая релаксации механического напряжения. [33]
У а0 при 10; сг / cr0 - D при t - о, где D е, т.е. параметр является асимптотой, к которой стремится кривая релаксации с увеличением времени. [34]
После мгновенной разгрузки образца в момент tp ( что осуществимо в опытах) значения деформаций е () начнут убывать во времени, в результате чего будем иметь кривую релаксации деформаций, которую называют кривой обратной ползучести или кривой обратного последействия. [35]
При этом: а - а0 при т 0; а / о0 - D при т - оо, то есть параметр D является ассимптотой, к которой стремится кривая релаксации с увеличением времени. [36]
Видно, что кривые релаксации реакций для данного трубопровода приблизительно подобны. Выпадает кривая релаксации момента трубопровода /, однако особенностью этого момента является весьма малое начальное значение. [37]
Остаточные напряжения в швах электрошлаковых сварных соединений. [38] |
В процессе отпуска полного постоянства деформаций нет, однако их изменение незначительно. Получение кривых простой релаксации при переменной тем-пературе осуществляется на трубчатых тонкостенных образцах, угол закручивания которых поддерживается постоянным. [39]
В качестве первого приближения предполагается, что напряжения, возникающие в периоды нестационарных режимов работы сосуда, могут суммироваться на основе принципа суперпозиции с напряжениями стационарных периодов эксплуатации, определенными по кривой напряжение-время. Чтобы найти кривую релаксации в условиях ползучести - можно воспользоваться методами, изложенными в § 3.3, а для вычисления напряжений и деформаций переходного периода рекомендуется применять методы упругопластического расчета. [40]
Кривые релаксации стеклопластика.| Подобие кривых релаксации для меди. левая шкала относится к температуре 20. правая - к температуре 165 С. [41] |
Это подобие согласуется с данными эксперимента ( рис. 14): различные точки относятся к различным уровням исходных напряжений. Вычисленные по кривым релаксации параметры Эа - функции ( принято X р), например. [42]
При возрастании напряженности поля кривая релаксации при больших временах становится более крутой, приближаясь к простому экспоненциальному закону ехр - ( Г / т2)) - Более того, т2 изменяется как F-2 ниже Fc 104 В см 1 и как F - l выше Fc. Теория МПВ имеет дело с приведенным полем у eFa / 2kT, где а - длина повторяющегося звена полимера ( в ПТС а 4 9 А), ах - относительная концентрация ловушек. [43]
G, могут быть определены по экспериментально снятым кривым релаксации нагрузки. [44]
Расчет должен быть проведен вторично с использованием кривых простой релаксации на рис. 5.4.5 о для основного металла и зависимостей е / Ш1 от о, м для мягких прослоек. [45]