Реальная кривая

Cтраница 2

Реальная кривая потенциальной энергии взаимодействия между атомами асимметрична ( кривая 2 на рис. 71) - при сближении атомов силы х отталкивания растут быстрее, чем силы при-рис л тяжения при удалении атомов друг от друга. [16]

Реальная кривая седиментации полндисперсной системы обычно получается плавной ( см. рис. IV.I a) и ей отвечает множество бесконечно малых участков, касательные в каждой точке этой кривой отражают седиментацию данной бесконечно малой фракции. [17]

Векторное сложение амплитуд. [18]

Реальная кривая изменения интенсивности рассеянных электронов определяется суммой когерентного и некогерентного рассеяний. На рис. 167 такое суммирование показано для рассеяния электронов молекулами Вгг. [19]

Реальную кривую накладывают на номограмму так, чтобы точки, соответствующие давлению насыщения, совпали. [20]

Реальная кривая намагничивания. [21]

Поэтому реальная кривая намагничивания в отличие от идеальной не может быть полностью определена одним параметром. [22]

Статическая характеристика / ор / ( 0 для реального ( сплошная линия и идеального ( штриховая линия усилителей. [23]

Поэтому реальная кривая намагничивания в отличие от идеальной не может быть полностью определена одним параметром ( см. § 3.12, рио. Вместо одного параметра, определяющего идеальную кривую намагничивания, для реальной кривой намагничивания необходимо ввести два: максимальную магнитную проницаемость Цыакс и соответствующую ей индукцию магнитного поля Вб. [24]

Поэтому реальная кривая зависимости В f ( H) имеет форму, изображенную на рис. 5 - 1, отличающуюся от прямоугольной формы. [25]

Если реальная кривая изменения превышения температуры подчиняется экспоненциальному закону, то постоянная времени по любым двум точкам определяется однозначно. [26]

Втяжные электромагниты без неподвижного сердечника. [27]

Отклонение реальной кривой а, показанной на рис. 5 - 3 г, от зависимости типа уА / хг связано с влиянием насыщения и ограничивающим действием паразитного зазора. [28]

В реальной кривой выпрямленного тока, протекающего по обмоткам машины, содержится ряд гармонических составляющих. Однако амплитуда основной гармонической всегда значительно превышает амплитуды высших гармонических. Это дает основания при теоретическом анализе ограничиться рассмотрением только потерь, вызванных основной гармонической тока. [29]

Общий вид кривой анодного заряжения. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5