Базовая кривая

Cтраница 2

Базовая кривая по своей форме учитывает спектр частот стандартной ударной машины, а также мешающее действие произ - водимого шума в зависимости от частоты. Так как ухо человека в зоне более высоких частот реагирует в большей степени, нормативный уровень ударного шума базовой кривой по мере повышения I частоты снижается. Для измерения ударного шума сохраняется при - нятая в строительной акустике область измерений. Способы оценки аналогичны тем, которые используются при оценке защиты от воздушного шума. Базовая кривая до тех пор сдвигается в направлении определенной нормативной кривой уровня ударного шума, пока сумма отрицательных октавных отклонений ( превышений базовой кривой) не составит 20 дБ ( при треть-октавных измерениях - 30 дБ), но не более. [16]

Зависимость параметра пористости Рп от коэффициента пористости kn при различных величинах эффективного напряжения ( а - р в условиях р const, t const. [17]

При хорошей коррелятивной связи между коэффициентом пористости и глинистостью пород графики, изображенные на рис. 41, позволяют построить теоретические зависимости Рп / ( А п) при разных значе - 200 ниях эффективного напряжения. С этой целью по графикам рис. 41 для определенного напряжения находят величины р ( с - Р) / РП) соответствующие разным значениям коэффициента зд пористости. В качестве базовой кривой при ( о - р) 0 была выбрана зависимость, полученная И. Ю. Ле-пешинским [64] на основании обобщения большого количества экспериментальных данных многих авторов для девонских песчано-алевритовых пород нефтяных месторождений Татарии, Башкирии и Куйбышевской области. [18]

Разброс базовых напряжений между лучшими и худшими транзисторами при фиксированном токе в линейной части характеристик находится измерением на выбранном образце или определяется изготовителем. Для транзистора типа 2N240 возможное значение разброса составляет 0 05 в при / В 1 0 ма. Лучшая и худшая базовые кривые могут быть затем получены с достаточной точностью из средней кривой, если допустить, что точки, соответствующие лучшему и худшему напряжениям, при любом токе смещены на 12 % по отношению к средней кривой транзистора. [19]

На рис. 208 показаны построения конхоиды кривой линии АВ. На каждом луче от точки базовой кривой откладываем в обе стороны равные отрезки. Геометрическим местом концов этих отрезков является кривая линия - конхоида исходной кривой АВ относительно данного полюса О. Конхоидой окружности относительно ее центра является пара окружностей, концентрических базовой окружности. [20]

Базовая прямая и расширяющийся коридор. [21]

После того как базовая прямая тем или иным образом будет построена, вступает в действие собственно алгоритм выброса точек. Рассмотрим некоторые виды таких алгоритмов. Все они начинаются с вычисления расстояний между базовой кривой и оставшимися к началу цикла точками. [22]

В-третьих, известные методики определения технологической эффективности полимерного заводнения для условий Новохазинской площади не пригодны. Это подтверждается результатами многочисленных расчетов. Существующие на сегодня методики пригодны для ограниченных геолого-технологических условий. Требуется, например, интервал времени до начала опытного процесса, обеспечивающий надежное прогнозирование базовой кривой вытеснения. Для известных методик лучше, если изучаемый процесс осуществляется на стадии снижения текущей добычи нефти, когда методами аппроксимации возможно прогнозирование ее динамики при разработке с обычным заводнением. В других случаях эти методики неприемлемы. [23]

Страницы: 1 2