Кривизна - пластина
Cтраница 1
Кривизна пластин допускается в пределах 5 мм между крайними точками поверхности. Выправка производится деревянными молотками на плите. Выкрашивание активной массы у новых пластин, а также во время правки не допускается. [1]
Кривизна пластины одинакова с кривизной - мбраны до ее срабатывания. [2]
 |
Структурная схема простейшей системы регулирования. 1 - объект регулирования. 2 - регулятор. [3] |
Изменение кривизны пластины при изменении темп-ры используется для управляющего воздействия на регулирующий орган. [4]
Как устраняют кривизну пластин коллектора. [5]
Несовмещение рисунков топологических слоев при изготовлении ИС может быть вызвано не только погрешностью размещения рисунка на каком-либо шаблоне, но и погрешностями установки совмещения, кривизной пластины ( подложки), колебаниями температуры в процессе изготовления ЭШ и другими факторами. [6]
 |
Пакет слоев многослойного материала. [7] |
Здесь г - расстояние от некоторой координатной плоскости, за которую может быть выбрана любая плоскость, параллельная границам слоев многослойного композита ( рис. 8.7); е - вектор деформаций координатной плоскости, а ( х) - вектор изменений кривизн пластины. [8]
Используются в виде биметаллических пластинок, состоящих из металлов с существенно разными коэффициентами расширения ( железо-никель), сваренных по всей длине. Изменению температуры соответствует изменение кривизны пластины, усиленное и переданное стрелочному указателю. [9]
Основной частью их является приспособление для гибкого катода, посредством которого определяется радиус кривизны пластины. [10]
Такесита ( 1967) показал, что возможна лучшая коррекция: дефектов изображения при использовании двух электростатических полей. Если подобрать соответствующим образом параметры прибора, искривить полюсные наконечники магнита в месте входа пучка и использовать тороидальное электрическое-отклоняющее поле, кривизна пластин которого удовлетворяет определенному условию, можно существенно уменьшить члены второго порядка, особенно для одной траектории с выбранным радиусом кривизны в магнитном поле. Для траекторий с другими1 радиусами кривизны дефекты изображения снижаются в меньшей степени. [11]
Образец жестко закреплен с одного края в виде консоли. При выводе расчетной формулы предполагается, что остаточные напряжения пг одинаковы во всех точках покрытия. Удаление покрытия приводит к деформации образца под действием изгибающего момента МЕН - / ( 12R), где Е - модуль упругости материала подложки, R - радиус кривизны пластины до изгиба. [12]
Полосы равного тангенциального наклона наблюдаются по схеме для получения полос равного наклона, если пластины интерферометра имеют изгиб. Для наблюдения многолучевых интерференционных полос равного тангенциального наклона за интерферометром устанавливается оптическая система ( например, линза), проектирующая картину интерференции на экран. Интерференционные полосы локализуются на поверхности, совпадающей с плоскостью, проходящей через центр кривизны пластин интерферометра. [13]
Страницы: 1