Криотрон

Cтраница 1

Схема запоминающей ячейки на криотронах. [1]

Криотроны как элементы схемы просты по конструкции, дешевы, имеют малые размеры и изготовляются из доступных материалов. [2]

Криотроны весьма микроминиатюрны: на 1 см2 площади может быть размещено до нескольких тысяч криотронов. На основе криотронов можно создать криотронные БИС, выполняющие логические функции, функции запоминания с неразрушающим считыванием, управления и межэлементных соединений. [3]

Криотрон - сверхпроводящий элемент будущих машин УФН. [4]

Криотрон был изобретен в 1956 г. Он состоит из двух сверхпроводящих контуров, один из которых управляется другим. Танталовая проволока диаметром 0 23 мм и длиной несколько десятков миллиметров на отрезке длиной 25 4 мм обмотана тонкой спиралью изолированной ниобиевой проволоки диаметром 0 07 мм. [5]

Криотрон с коэффициентом усиления по току, большим единицы, может непосредственно управлять другим идентичным элементом. Два таких криотрона с контурами вентиля и управления, соединенные крест-накрест, как показано на фиг. Он является основой проектируемых счетчиков. Криотрон можно также использовать в логических схемах. [6]

Криотроны просты и дешевы, потребляют малую мощность и достаточно надежны. Однако необходимость их глубокого охлаждения делает их экономичными лишь при использовании большого количества криотронов, когда суммарная экономия энергии, необходимой для питания самих криотронов, превышает расход энергии на охлаждающую установку. Кроме того, время переключения криотронов описанной конструкции вследствие вихревых токов в сверхпроводящих проводниках составляет несколько десятков микросекунд, что препятствует повышению скорости работы устройств. [7]

Криотрон обычно охлаждается кипящим гелием, температура которого при атмосферном давлении соответствует 4 2 К. Прямой провод изготовляется из тантала, температура перехода которого при нулевом поле всего на десятые градуса выше 4 2 К. Входная обмотка выполняется из ниобия, температура перехода которого около 8 К и при температуре 4 2 К он остается сверхпроводником даже при сравнительно больших интенсивностях магнитного поля. [8]

Криотрон является чрезвычайно компактным устройством, позволяющим получать матрицы с высокой плотностью. В настоящее время изготовлены системы на основе МДП-транзисторов с плотностями, на порядок большими. Обе технологии имеют одинаковые фундаментальные пределы упаковки, определяемые возможностями фотолитографии. [9]

Криотрон должен быть недорогим и простым устройством, на основе которого могли бы создаваться партии крупномасштабны матриц. Однако здесь МДП-транзистор является устройством, обладающим такими же возможностями. [10]

Схема конструкции пленочной матрицы для ЗУ.| Элемент ЗУ на цилиндрической пермаллоевой пленке ( а. считывание и запись ( б. [11]

Криотрон представляет собой двухгюзиционный элемент, который можно использовать в запоминающих устройствах и для решения логических задач. [12]

Зависимость критической температуры от напряженности магнитного поля для некоторых металлов.| Схема управляемого запоминающего элемента на шести криотронах. [13]

Криотрон является элементом, который можно переводить из нормального состояния с - конечным значением электрического сопротивления в состояние сверхпроводимости с сопротивлением, равным нулю. Очевидно, возможен и обратный переход. [14]

ЗУ на криотронах. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5